第三代功率IC 軟啟動用IC 電流傳感用IC IGBT保護用IC 電力電子器件技術(shù)發(fā)展重點
電力電子器件為效率高、體積小、性能可靠的電源適配器發(fā)展提供了可靠的基礎(chǔ)?，F(xiàn)在的電源適配器不僅要求效率高，而且要求具有功率因數(shù)校正功能和適應(yīng)全球電源電壓范圍。 MOSFET與IGBT MOSFET經(jīng)近30年的發(fā)展，性能不斷得到改進，耐壓的提高、柵極抗靜電擊穿能力的提高、導(dǎo)通電阻的減小、柵極電荷與密勒電荷的減小、寄生二極管的反向恢復(fù)特性的改善。現(xiàn)在MOSFET，其低耐壓器件的額定電流下的導(dǎo)通壓降已是所有的電力電子器件中最低的，甚至柵極可以用0.7V電壓驅(qū)動。高壓器件也由于Coolmos的問世，其額定電流下的導(dǎo)通壓降降低5。
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