1 引言
很多大功率系統(tǒng)(高達(dá)200kw)的設(shè)計(jì)者,特別是處于迅速發(fā)展中的行業(yè)的設(shè)計(jì)者,如風(fēng)力發(fā)電、分布式電源發(fā)電,經(jīng)常扮演的是系統(tǒng)集成者的角色,在一些情況下他們對(duì)功率電子電路的詳細(xì)知識(shí)不感興趣。硅片技術(shù)發(fā)展的速度使得它必須能夠與所有其它的接口元件相匹配,如散熱器、驅(qū)動(dòng)電路、電容、緩沖電路以及母排。這些設(shè)計(jì)者需要可靠的系統(tǒng)組件以滿(mǎn)足他們的系統(tǒng)對(duì)功率部分的要求,他們也需要最好是通過(guò)模塊化方式提供多種多樣的解決方案。模塊化的功率系統(tǒng)還具有成本低、供貨周期短等優(yōu)點(diǎn)。
2 semikubetm的特點(diǎn)
semikron采用模塊化技術(shù)開(kāi)發(fā)的semikubetm是一個(gè)在強(qiáng)制風(fēng)冷的條件下功率高達(dá)900kw的,用于逆變器/轉(zhuǎn)換器的組件。這種模塊化的方法減小了系統(tǒng)的設(shè)計(jì)時(shí)間,簡(jiǎn)化了現(xiàn)場(chǎng)的安裝工作。它還降低了用于備件存儲(chǔ)所需的空間,因?yàn)橹恍枰獌?chǔ)備少量的標(biāo)準(zhǔn)化部件就可以滿(mǎn)足不同配置的要求。這種新型的產(chǎn)品平臺(tái)可以提供電流從320a到1550a的大功率系統(tǒng)。在大功率系統(tǒng)的配置中,每個(gè)模塊都分配有一個(gè)系統(tǒng)風(fēng)扇,這樣通過(guò)為系統(tǒng)中的每一個(gè)功率模塊提供一路環(huán)境溫度的風(fēng)路從而消除了熱量的聚集。這種方法能夠達(dá)到的功率密度以前只有水冷系統(tǒng)才能實(shí)現(xiàn)。
一個(gè)semikubetm通常由一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè)立方體型的功率模塊構(gòu)成,而每個(gè)立方體型的功率模塊又包含二、三或四個(gè)組件。每個(gè)組件(見(jiàn)圖1)則由直接安裝在特殊設(shè)計(jì)的散熱良好的散熱器上的二極管、晶閘管或兩個(gè)半橋igbt模塊構(gòu)成。立方體功率模塊集成有自己的電容組,這種等級(jí)的模塊采用單獨(dú)風(fēng)冷以減小體積并提高可靠性。通過(guò)使用不同的組件就可以組成不同電流等級(jí)的系統(tǒng)。模塊的使用功率范圍見(jiàn)表1。

圖1 semikubetm系列

基于semikron公司的skypertm 32 pro驅(qū)動(dòng)核的,優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)電路被集成到了每一個(gè)立方體功率模塊中(見(jiàn)圖2)。該驅(qū)動(dòng)電路保留了skypertm 32 pro所有的功能,如軟關(guān)斷,vce監(jiān)測(cè),外部故障輸入等。每個(gè)模塊的驅(qū)動(dòng)電路單獨(dú)工作,但其用戶(hù)接口是通用的,通向semikubetm單元的外部。每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路受用戶(hù)控制器的控制并提供所有的必須的保護(hù)和監(jiān)測(cè)功能包括電氣隔離、超低壓安全用戶(hù)接口、溫度監(jiān)測(cè)、短路保護(hù)、電流和直流電壓標(biāo)定以及電流均流。此外,為了維護(hù)方便,功率模塊單元上還有一組led燈來(lái)對(duì)驅(qū)動(dòng)電路監(jiān)測(cè)到的最后一次故障進(jìn)行記錄。這對(duì)于診斷逆變器停機(jī)的原因是非常有幫助的。

圖2 集成在每個(gè)立方體模塊中的skypertm 32 pro驅(qū)動(dòng)核
每個(gè)組件都集成了高速霍爾電流傳感器。模塊之間的均流監(jiān)測(cè)就是通過(guò)對(duì)多個(gè)電流傳感器的信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)并比較而是實(shí)現(xiàn)的。任何過(guò)流或不均流情況都將導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路中斷門(mén)極驅(qū)動(dòng)信號(hào),從而為系統(tǒng)提供強(qiáng)大的保護(hù)功能。而這種設(shè)計(jì)也為系統(tǒng)針對(duì)過(guò)流提供以下三重保護(hù)(見(jiàn)圖3):

圖3 semikube 1,2,3的內(nèi)視圖
通過(guò)檢測(cè)vcesat電壓而實(shí)現(xiàn)的快速的短路保護(hù);
通過(guò)檢測(cè)電流而實(shí)現(xiàn)的較慢速的短路保護(hù);
通過(guò)電流均流監(jiān)測(cè)而實(shí)現(xiàn)的內(nèi)部短路保護(hù)。
這樣高水平的保護(hù)可以確保系統(tǒng)安全可靠的工作。
組件是模塊間通過(guò)母排的連接而構(gòu)成的系統(tǒng)。在不同的直流端子之間擰幾個(gè)螺釘就可以實(shí)現(xiàn)各個(gè)組件之間可靠的低感連接。semikubetm的功率連接系統(tǒng)(受專(zhuān)利保護(hù))容易拆卸,并通過(guò)將直流母排進(jìn)行合理的連接,可以減小雜散電感從而減小電流的振蕩。這便提高了電容的壽命。此外,通過(guò)彈簧連接可以減小熱膨脹的影響,確保連接的長(zhǎng)期可靠性。這種配置便可進(jìn)行快速、靈活的安裝,而且可以從任意一邊對(duì)子組件單元進(jìn)行連接,因此在標(biāo)準(zhǔn)的功率范圍內(nèi)可以滿(mǎn)足任意機(jī)械和電氣連接的要求(見(jiàn)圖4)。

圖4 semikubetm的水平排列情況
大功率semikubetm系統(tǒng)有時(shí)需多達(dá)8個(gè)半橋igbt模塊進(jìn)行并聯(lián),只有在不降低性能的條件下的并聯(lián)設(shè)計(jì)才是有效的,因此我們開(kāi)發(fā)了特殊的直流和交流母排。交流母排使用電氣對(duì)稱(chēng)的鍍錫的銅板。每個(gè)模塊的交流端子到負(fù)載之間的連接具有相同的阻抗和雜散電感。經(jīng)過(guò)特殊設(shè)計(jì)的直流母排也具有很低的雜散電感,并且在不同的semikubetm之間可以進(jìn)行互相連接。
額定電流在320a到390a的應(yīng)用只需要一個(gè)含了整流和逆變部分的立方體功率模塊。如果需要增大功率等級(jí),可以用不同的方式來(lái)連接兩個(gè)立方體功率模塊:一是只使用一個(gè)系統(tǒng)風(fēng)扇,這樣可以節(jié)省空間,二是使用兩個(gè)系統(tǒng)風(fēng)扇,這樣使得達(dá)到更大的輸出電流。這兩種方案的輸出電流從520a到770a。同樣地,三個(gè)方塊功率模塊可以采取類(lèi)似的方式,使用一個(gè)或三個(gè)系統(tǒng)風(fēng)扇,提供從830a到1550a的額定輸出電流。也可以采用下面這種方案:三個(gè)逆變功率模塊,外加第四個(gè)包含整流器和電容器組的模塊,這種配置使用兩個(gè)系統(tǒng)風(fēng)扇,從系統(tǒng)體積和輸出功率來(lái)說(shuō)都可以達(dá)到世界最先進(jìn)的水平。事實(shí)上這種系統(tǒng)平臺(tái)允許任何數(shù)量的立方體功率模塊進(jìn)行組合,因此,它具有很好的多功能性、可量測(cè)性以及可配置性。
semikubetm系統(tǒng)可以構(gòu)成非常緊湊的逆變器、變換器以及其它拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。小立方體功率模塊自身很小,而且用于內(nèi)部連接的靈巧設(shè)計(jì)的母排允許三個(gè)方塊功率模塊就近排列。無(wú)須定制的模塊以及產(chǎn)品平臺(tái)可以在很寬的功率范圍內(nèi)得到應(yīng)用。
semikubetm的設(shè)計(jì)理念和它的高度標(biāo)準(zhǔn)化的組件可以很容易的適應(yīng)多種拓樸結(jié)構(gòu)。甚至對(duì)于一些標(biāo)準(zhǔn)配置,在可能用到的空間排列上也是沒(méi)有限制的。四象限變頻器、單相變頻器、帶斬波器的整流器、聚丙烯電容或電解電容等,均可在這些組件中得到最優(yōu)的解決方案。
標(biāo)準(zhǔn)的變換器/逆變器semikubetm模塊(見(jiàn)圖5)包括下面的器件:整流部分可以使用的拓樸結(jié)構(gòu)有:不可控整流(b6u)、半控整流(b6hk)和全控整流(b6c)。所使用的半導(dǎo)體器件是最新的絕緣電壓為3kvac的1600v的semipacktm模塊,這種模塊堅(jiān)固耐用并且采用了散熱非常好的銅基板技術(shù)的。除了觸發(fā)模塊外,rc吸收電路也是標(biāo)準(zhǔn)組件并且線(xiàn)路熔斷器是可選的。輸入電壓為:380~500vac(-15%~10%),45~66hz。最高的直流母線(xiàn)電壓為707v。

圖5 semikubetm 1
作為標(biāo)準(zhǔn)配件的直流母線(xiàn)電容采用的是長(zhǎng)壽命的電解電容,它具有可用螺釘進(jìn)行連接的端子,在選擇電容時(shí)已經(jīng)考慮到在不降低性能與壽命的情況下具有較高的性?xún)r(jià)比。電容的大小由逆變器的標(biāo)稱(chēng)電流決定及所期望的工作壽命(lop超過(guò)60khrs)所決定的??紤]到igbt關(guān)斷時(shí)在直流母線(xiàn)回路上會(huì)產(chǎn)生電壓過(guò)沖,直流電容的工作電壓都經(jīng)過(guò)了仔細(xì)的計(jì)算。電容器組被放置在了一個(gè)非常結(jié)實(shí)的框架的上半部,以便操作,同時(shí)對(duì)它進(jìn)行機(jī)械保護(hù)。包括電容器組的框架的上半部被固定到對(duì)應(yīng)的semikubetm框架的有插槽固定點(diǎn)的下半部分。這樣在不改變?nèi)魏螜C(jī)械設(shè)計(jì)的情況下通過(guò)提升框架的上半部分就可以為大體積的電容提供空間。semikubetm框架的下半部分被固定到了散熱器上。
semikubetm所使用的散熱器具有非常好的導(dǎo)熱性能,但是這樣會(huì)形成了比較高的氣壓差,因此需要使用高壓離心式風(fēng)扇。風(fēng)扇使用230v,50/60hz的電源,其噪音不超過(guò)72dba。風(fēng)扇內(nèi)有熱電偶溫度保護(hù)器,并且這種風(fēng)扇具有免維護(hù)、長(zhǎng)壽命等特性。離心式風(fēng)扇也可以按電容器組框架的尺寸進(jìn)行定制。
逆變器是三相的,并且采用了最新的1200v的軟穿通(spt)、高性?xún)r(jià)比的semitranstm半橋igbt模塊。軟穿通硅芯片器件在很寬的開(kāi)關(guān)頻率范圍內(nèi)(高達(dá)20khz)都有很高的運(yùn)行效率,其典型的開(kāi)關(guān)損耗約為21mj(@125℃/100a)。它的導(dǎo)通損耗也很低,飽和壓降的典型值約為2.0v @ 25℃。標(biāo)準(zhǔn)逆變模塊在開(kāi)關(guān)頻率為3khz的工作情況下是非常好的,使得系統(tǒng)的效率達(dá)到了大約98%(包括導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)損耗、風(fēng)扇損耗)。驅(qū)動(dòng)這些igbt所需要的門(mén)極電荷通常為1uc(vge:-8/+15v,100a),這可由全新的skypertm 32門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路來(lái)完成。
通過(guò)使用通用的二極管、晶閘管、igbt模塊、電容器、散熱器、風(fēng)扇、母排、電流傳感器,semikron可以保證較短的貨期,并且非常容易進(jìn)行維護(hù)。用于semikubetm系統(tǒng)的所有元件都滿(mǎn)足溫度、濕度、電磁兼容性以及安全等方面的要求。semikubetm的設(shè)計(jì)還也是符rohs認(rèn)證的。
3 結(jié)束語(yǔ)
使用semikubetm的客戶(hù)可獲得如下優(yōu)點(diǎn):無(wú)須定制、可擴(kuò)展、全部經(jīng)過(guò)測(cè)試。在諸如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、風(fēng)力發(fā)電、ups以及燃料電池等領(lǐng)域。這些新的功率組件為設(shè)計(jì)者提供了范圍最廣的、無(wú)須定制的功率單元。由于這些模塊可以滿(mǎn)足使用量非常大的中等功率、不同應(yīng)用領(lǐng)域的需求,所以在價(jià)格上它也具有很大的競(jìng)爭(zhēng)力。對(duì)用戶(hù)來(lái)說(shuō),不論功率大小,都只有一個(gè)單獨(dú)的用戶(hù)接口,唯一不同的就是不同功率等級(jí)的系統(tǒng)所需要的模塊數(shù)量不同。
賽米控的國(guó)際方案中心分別位于澳大利亞、巴西、法國(guó)、印度、韓國(guó)、斯洛文尼亞、南非、英國(guó)以及美國(guó)。由這些中心構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)可以為諸多領(lǐng)域的客戶(hù)在設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)以及省產(chǎn)等環(huán)節(jié)提供服務(wù)。










