可控硅元件在變頻電路中的應(yīng)用
對(duì)于非諧振型的變頻器，使用軟開(kāi)關(guān)變換電路，它是控制電壓和電流在開(kāi)始上升時(shí)，使其緩慢變化的一種方法。
作為開(kāi)關(guān)變換元件，一般使用雙極型三極管，但是最近，在中小功率的范圍內(nèi)，大量使用了絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）及功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。在大功率范圍內(nèi)，使用了閘門關(guān)斷可控硅（GTO）元件。
IGBT是電壓控制元件，比電流控制的雙極型晶體管輸入控制回路簡(jiǎn)單，是耐壓高、導(dǎo)通電壓低、開(kāi)關(guān)變換速度快的元件。由于控制回路簡(jiǎn)單，能夠產(chǎn)生出將功率元件、驅(qū)動(dòng)回路、保護(hù)回路都封裝一起的智能功率模塊IPM。
GTO元件是能夠關(guān)斷、開(kāi)啟的可控硅元件，它應(yīng)用在大功率的PWM變換電路中。目前，已開(kāi)發(fā)出的有額定參數(shù)為4.5kV/4kA的元件。由于GTO元件的開(kāi)關(guān)變換頻率約在幾百赫茲左右，存在的問(wèn)題是在低頻時(shí)的電壓、電流波形干擾大。目前，正在進(jìn)一步開(kāi)發(fā)的是以低損耗為目標(biāo)的新式雙柵極MOS柵極可控硅（DUGMOT）元件。
本文標(biāo)簽：可控硅元件在變頻電路中的應(yīng)用
* 由于無(wú)法獲得聯(lián)系方式等原因，本網(wǎng)使用的文字及圖片的作品報(bào)酬未能及時(shí)支付，在此深表歉意，請(qǐng)《可控硅元件在變頻電路中的應(yīng)用》相關(guān)權(quán)利人與機(jī)電之家網(wǎng)取得聯(lián)系。
關(guān)于“可控硅元件在變頻電路中的應(yīng)用”的更多資訊
：鞏經(jīng)理
：13915946763
：南京塞姆泵業(yè)有限公司
個(gè)人求購(gòu)
VIP公司推薦
|
|
|
|
|
|
|
|