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低壓軟起動(dòng)器可控硅的主要技術(shù)參數(shù)

建議拆掉后測試,以往在工廠測試電機(jī)時(shí)候,一般都建議拆掉來測試的,其實(shí)就是主回路三條線,拆裝很簡單的,畢竟你測試電機(jī)絕緣時(shí)候,不知道你的測試儀輸出的高壓是多少了,一不留神會(huì)燒里邊的器件的,畢竟里邊除了可控硅,還可能有一些檢測電路或者過壓保護(hù)器件了,很容易受到破壞,一般主回路就是3個(gè)可控硅,可控硅的反向耐壓和正向耐壓,基本上是差不多的,可以參考這個(gè)小功率的可控硅表,廠家給出來的參數(shù),和正向耐壓是一致的,可以推測大功率的也差不多。

可控硅的主要技術(shù)參數(shù)

1.正向阻斷峰值電壓(vpfu)

是指在控制極開路及正向阻斷條件下,可以重復(fù)加在器件上的正向電壓的峰值。此電壓規(guī)定為正向轉(zhuǎn)折電壓值的80%。

2.反向阻斷峰值電壓(vpru)

它是指在控制極斷路和額定結(jié)溫度下,可以重復(fù)加在器件上的反向電壓的峰值。此電壓規(guī)定為最高反向測試電壓值的80%。

3.額定正向平均電流(if)

在環(huán)境溫度為+40c時(shí),器件導(dǎo)通(標(biāo)準(zhǔn)散熱條件)可連續(xù)通過工頻(即指供電網(wǎng)供給的頻率.一般為50hz或60hz,我國規(guī)定為50hz)正弦半波電流的平均值。

4.正向平均壓降(uf)

在規(guī)定的條件下,器件通以額定正向平均電流時(shí),在陽極與陰極之間電壓降的平均值。 5.維持電流(ih)

在控制極斷開時(shí),器件保持導(dǎo)通狀態(tài)所必需的最小正向電流。

6.控制極觸發(fā)電流(ig)

陽極與陰極之間加直流6v電壓時(shí),使可控硅完全導(dǎo)通所必需的最小控制極直流電流。 7.控制極觸發(fā)電壓(ug)

是指從阻斷轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)控制極上所加的最小直流電壓。

作者:未知 點(diǎn)擊:324次 [打印] [關(guān)閉] [返回頂部]
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