產(chǎn)品詳情
半導(dǎo)體薄膜沉積（如化學(xué)氣相沉積CVD、物理氣相沉積PVD）是制造芯片核心功能層的核心工藝。在納米級薄膜生長過程中，真空系統(tǒng)的潔凈度與壓力穩(wěn)定性直接決定薄膜的均勻性、致密性及電學(xué)性能。
- 典型問題：
- 油蒸氣污染：傳統(tǒng)油式真空泵的潤滑油蒸氣反滲至腔室，導(dǎo)致薄膜表面出現(xiàn)針孔、雜質(zhì)吸附，良率下降5%~10%。
- 壓力波動：真空度不穩(wěn)定（波動＞±1%）引發(fā)膜厚不均，影響3D NAND存儲堆疊層或邏輯芯片柵極氧化層的可靠性。
- 維護(hù)成本高：頻繁清潔被污染的腔室和泵體，單臺設(shè)備年維護(hù)成本超￥20萬元。
普旭油式真空泵針對以上痛點(diǎn)，為CVD、PVD、ALD（原子層沉積）等工藝提供高潔凈、超穩(wěn)定的真空環(huán)境，成為7nm以下先進(jìn)制程的優(yōu)選解決方案。
產(chǎn)品特點(diǎn)：技術(shù)革新實(shí)現(xiàn)潔凈與穩(wěn)定雙突破
1. 多層油霧過濾系統(tǒng)
- 三級凈化設(shè)計：
- 機(jī)械離心分離：去除90%以上大顆粒油霧。
- 靜電吸附模塊：捕捉0.1μm級懸浮油滴，效率達(dá)99.5%。
- HEPA級終端過濾：殘留油蒸氣＜0.01mg/m3，潔凈度＞99.99%，符合SEMI F21標(biāo)準(zhǔn)。
- 自清潔功能：濾芯堵塞自動報警，支持在線更換，維護(hù)耗時＜30分鐘。
2. 恒壓精密控制技術(shù)
- 閉環(huán)壓力反饋系統(tǒng)：實(shí)時監(jiān)測腔室壓力（精度±0.1mbar），通過變頻電機(jī)動態(tài)調(diào)節(jié)抽速，壓力波動≤±0.3%。
- 工藝氣體兼容性：適配NH?、SiH?、WF?等腐蝕性氣體，密封材料采用全氟醚橡膠（FFKM），耐腐蝕壽命提升5倍。
3. 節(jié)能長效設(shè)計
- 變頻驅(qū)動（VFD）：待機(jī)功耗降低至額定功率的15%，年省電費(fèi)超￥8萬元（以10kW泵為例）。
- 長壽命潤滑油：專用高溫合成油（耐溫250℃），換油周期延長至8000小時，維護(hù)成本降低60%。
性能參數(shù)對比
指標(biāo)
普旭油式真空泵
競品A（干式泵）
競品B（傳統(tǒng)油泵）
極限真空度
≤5×10?3 mbar
≤1×10?2 mbar
≤5×10?2 mbar
潔凈度（油蒸氣殘留）
＜0.01mg/m3
無油污染
0.5~1.0mg/m3
壓力波動
±0.3%
±0.8%
±1.5%
年綜合能耗
￥6.5萬
￥9.2萬
￥8.0萬
維護(hù)成本（年/臺）
￥3.8萬
￥5.5萬
￥6.0萬
1. 良率提升：某邏輯芯片廠在28nm HKMG工藝中采用普旭泵后，薄膜缺陷率從0.12%降至0.03%，年減少損失￥1500萬。
2. 成本優(yōu)化：熱能回收系統(tǒng)將廢熱用于腔室預(yù)熱，降低外圍加熱能耗18%，單臺泵年省電費(fèi)￥1.8萬。
3. 生產(chǎn)連續(xù)性：MTBF（平均無故障時間）≥20000小時，支持7×24小時連續(xù)運(yùn)行，設(shè)備利用率提升25%。
總結(jié)：賦能先進(jìn)制程，定義真空新標(biāo)準(zhǔn)
普旭油式真空泵通過多層油霧過濾技術(shù)與恒壓精密控制系統(tǒng)，徹底解決半導(dǎo)體薄膜沉積工藝中的油污染與壓力波動難題，潔凈度＞99.99%的指標(biāo)達(dá)到行業(yè)頂尖水平。其優(yōu)勢不僅體現(xiàn)在良率提升與成本節(jié)約，更通過適配先進(jìn)制程（如EUV光刻配套薄膜沉積），助力半導(dǎo)體企業(yè)突破5nm、3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)。
隨著第三代半導(dǎo)體（GaN、SiC）與異質(zhì)集成技術(shù)的崛起，普旭真空泵將持續(xù)以少污染、高穩(wěn)定、智能化為核心，成為全球晶圓廠薄膜工藝升級的戰(zhàn)略合作伙伴。
