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產(chǎn)品詳情
| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | PlasmaSTAR | ||
| 是否支持加工定制 | 否 | ||
| 是否進(jìn)口 | 是 | ||
| 射頻頻率 | 13.56 MHz | ||
| 射頻功率 | 0~1000W瓦之間距連續(xù)可調(diào)，自動(dòng)匹配 | ||
| 工藝氣體 | 標(biāo)配2路MFC，最多可選配5路 | ||
| 控制系統(tǒng) | 7英寸觸摸屏操作界面 | ||
| 程序控制 | PC觸屏控制，可編程序，無(wú)線存儲(chǔ)數(shù)據(jù) | ||
| 設(shè)備尺寸 | 寬1033 x 深850 x 高635mm | ||
| 可售賣地 | 全國(guó) | ||
| 材質(zhì) | 硬質(zhì)陽(yáng)極氧化鋁矩形腔體 | ||
| 型號(hào) | PlasmaStar 200/PlasmaStar 200 | ||
PlasmaSTAR?系列等離子處理系統(tǒng)適合處理所有的材料，擁有多種腔室和電極配置，可滿足不同的等離子工藝和基片尺寸。占地面積小，用于各種等離子工藝的模塊化腔室和電極配置。此外，觸摸屏計(jì)算機(jī)控制，多級(jí)程序控制和組件控制，操作簡(jiǎn)單。PlasmaSTAR?模塊化腔室和電極組件是該系統(tǒng)的獨(dú)特功能。 腔室材料是硬質(zhì)陽(yáng)極氧化鋁， 有幾種不同的電極設(shè)計(jì)，包括用于反應(yīng)離子刻蝕（RIE）和平面處理的水冷平板電極，用于表面清洗或處理的交替多層托盤電極，用于最小化離子損傷的下游電極，和用于普通的圓柱形籠式電極。
技術(shù)參數(shù)：
1、腔體尺寸：PlasmaStar 200 寬305×高305×深406mm；PlasmaStar 200RIE 寬305 ×高200×深406mm；
2、腔體材質(zhì)：硬質(zhì)陽(yáng)極氧化鋁矩形腔體；
3、處理腔背面材質(zhì)：鋁；
4、處理腔門：要求全自動(dòng)腔門；
5、標(biāo)配2路MFC工藝氣體，PlasmaStar?200最多可選配5路，流量控制器控制氣體流量，氣體輸入腔室?guī)蛄髟O(shè)計(jì)；
6、射頻功率：0~1000W瓦之間距連續(xù)可調(diào)，自動(dòng)匹配，自然風(fēng)冷；7、標(biāo)準(zhǔn)圓柱形籠式電極，可選交替多層托盤電極，可選RIE平面處理水冷平板電極；
8、7英寸及以上顯示器、觸摸屏、圖形用戶界面；
9、程序控制：觸摸屏電腦控制，無(wú)線程序存儲(chǔ)；
10、Windows操作系統(tǒng)，兼容Windows office軟件，USB接口，可進(jìn)行外部電腦遠(yuǎn)程控制的功能；
11、狀態(tài)和出錯(cuò)信息提示，過(guò)程數(shù)據(jù)和出錯(cuò)信息存儲(chǔ)，可選擇自動(dòng)和手動(dòng)操作模式，過(guò)程數(shù)據(jù)可以導(dǎo)出，工藝參數(shù)以圖形方式呈現(xiàn)，可實(shí)時(shí)監(jiān)控，自動(dòng)實(shí)現(xiàn)泄露檢測(cè)；
12、配套緊急急停按鈕（EMO)，配套電路斷路器，機(jī)械聯(lián)鎖（門傳感器）和真空聯(lián)鎖（壓力開(kāi)關(guān)），通過(guò)軟件可進(jìn)行遠(yuǎn)程的真空聯(lián)鎖；
13、典型的光刻膠刻蝕速率：80nm/min；
14、典型工藝均勻性：≥±10；
