產(chǎn)品詳情
爐內(nèi)氣氛對(duì)硅碳棒的影響：干燥空氣的影響：硅碳棒能在高溫（1600℃）、干燥的空氣中長(zhǎng)期使用，電阻緩慢增加。氧氣（O2）與SiC在高溫時(shí)發(fā)生反應(yīng)，生成二氧化硅（SiO2）。由于硅碳棒表面形成了一層SiO2保護(hù)膜，因此硅碳棒具有很強(qiáng)的抗氧化性。
（2）水蒸氣的影響：水蒸氣（H2O）在1100℃時(shí)與SiC發(fā)生強(qiáng)烈化學(xué)反應(yīng)，生成Si、SiO2和C。硅碳棒表面出現(xiàn)裂紋，電阻增長(zhǎng)速度很快。
（3）氮?dú)猓∟2）的影響：當(dāng)硅碳棒表面溫度達(dá)到1400℃時(shí)，N2就與SiC發(fā)生反應(yīng)，生成氮化硅，使硅碳棒的電阻值顯著增長(zhǎng)。
（4）氫氣（H2）的影響：在1250℃時(shí)，H2與SiC發(fā)生反應(yīng)，生成甲烷（CH4）,破壞SiC發(fā)熱體。
（5）氨氣（NH3）的影響：NH3在高溫時(shí)可分解成成N2和H2。故使用溫度應(yīng)控制在1250℃以下。
（6）二氧化硫（SO2）的影響：SO2在1300℃與SiC反應(yīng)，故使用溫度應(yīng)控制在1300℃以下。
（7）氯氣（Cl2）的影響：Cl2在600℃時(shí)就會(huì)與SiC發(fā)生反應(yīng)，在1200℃時(shí)，Cl2會(huì)把硅碳棒完全分解。
（2）水蒸氣的影響：水蒸氣（H2O）在1100℃時(shí)與SiC發(fā)生強(qiáng)烈化學(xué)反應(yīng)，生成Si、SiO2和C。硅碳棒表面出現(xiàn)裂紋，電阻增長(zhǎng)速度很快。
（3）氮?dú)猓∟2）的影響：當(dāng)硅碳棒表面溫度達(dá)到1400℃時(shí)，N2就與SiC發(fā)生反應(yīng)，生成氮化硅，使硅碳棒的電阻值顯著增長(zhǎng)。
（4）氫氣（H2）的影響：在1250℃時(shí)，H2與SiC發(fā)生反應(yīng)，生成甲烷（CH4）,破壞SiC發(fā)熱體。
（5）氨氣（NH3）的影響：NH3在高溫時(shí)可分解成成N2和H2。故使用溫度應(yīng)控制在1250℃以下。
（6）二氧化硫（SO2）的影響：SO2在1300℃與SiC反應(yīng)，故使用溫度應(yīng)控制在1300℃以下。
（7）氯氣（Cl2）的影響：Cl2在600℃時(shí)就會(huì)與SiC發(fā)生反應(yīng)，在1200℃時(shí)，Cl2會(huì)把硅碳棒完全分解。
