產(chǎn)品詳情
基本參數(shù)
| 品牌 | 美國k-Space | 型號 | kSA 400 |
| 加工定制 | 否 | 售后服務(wù) | 保修一年 |
| 產(chǎn)地 | 美國 |
廠家：k-Space Associates, Inc.
型號：kSA 400
原理： 通過對RHEED入射電子能量的控制，用高分辨、高速CCD直接采集來自樣品對電子束的衍射圖像，并通過專業(yè)軟件系統(tǒng)對其進行圖像處理 和數(shù)據(jù)分析；
分析功能：同時測量晶格間距、相干長度和晶體表面結(jié)構(gòu)演化；薄膜沉積速率和沉積厚度分析；三維衍射圖像分析等；
應(yīng)用：可裝在各種薄膜沉積設(shè)備上，對材料的多項物理特性進行實時在線分析；
主要特性: 1. 衍射圖像采集采用先進的CCD和光學(xué)系統(tǒng)；
2. 適用于MBE、 PLD、濺射和電子束蒸發(fā)等多種薄膜沉積系統(tǒng)；
3. 持續(xù)不斷的軟件系統(tǒng)更新；
4. 包含鎖相外延生長（PLE）、低能電子衍射（LEED）、俄歇電子能譜/光電子能譜（Auger/XPS）等可選功能；
5. 實時的薄膜生長速率、晶格間距和表面均勻性分析；
6. 專業(yè)的技術(shù)支持；
7. 多個品牌的電子槍各種控制功能可供選擇；
