一、主要特點(diǎn)

1.1裝置采用DSP硬件平臺(tái)結(jié)構(gòu)，保護(hù)模塊選用高性能32位DSP，增強(qiáng)了可靠性，充分保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和運(yùn)算速度。

1.2保護(hù)模塊采用16位的A/D轉(zhuǎn)換器，精度高達(dá)24位，各項(xiàng)測(cè)量計(jì)算指標(biāo)輕松達(dá)到要求。

1.3配置大容量的RAM和Flash Memory，數(shù)據(jù)處理功能強(qiáng)大，可記錄50個(gè)錄波報(bào)告，具有掉電保持功能。

1.4保護(hù)功能由圖形化的邏輯編程實(shí)現(xiàn)，功能的變化不用修改系統(tǒng)程序，保護(hù)原理透明、可靠，裝置的靈活性、穩(wěn)定性、可靠性大大加強(qiáng)。

1.5 高速串行通信接口，并集成了MODBUS標(biāo)準(zhǔn)通信規(guī)約。

1.6 精心的電氣設(shè)計(jì)，整機(jī)無(wú)可調(diào)節(jié)器件，實(shí)現(xiàn)了免調(diào)試概念設(shè)計(jì)。

1.7 完善的自檢功能，自檢定位至芯片。

1.8強(qiáng)弱電隔離布置、獨(dú)立模塊設(shè)計(jì)，使裝置具有優(yōu)異的抗干擾性能，組屏或安裝于開關(guān)柜時(shí)不需其它抗干擾模件。

1.9 完善的自診斷功能。

1.10防潮、防塵、抗振動(dòng)的機(jī)箱設(shè)計(jì)。

1.11裝置采用背插式結(jié)構(gòu)，強(qiáng)弱電分離，所有強(qiáng)電回路可以直接接入裝置。

1.12裝置采用全封閉結(jié)構(gòu)，采用低功耗SMT工藝，不僅適用于電力系統(tǒng)，還可以適應(yīng)化工、煤礦等特殊行業(yè)。

二、技術(shù)參數(shù)

2.1 額定參數(shù)

2.1.1 裝置電源：ADC220V或ADC110V（訂貨注明）

2.1.2 額定交流數(shù)據(jù)：

a) 相電壓 110V

b) 交流電流 ??? 5A或1A（訂貨注明）

c) 額定頻率 ???50Hz

2.1.3 功率消耗：

a) 直流回路 正常工作時(shí)：不大于15W

動(dòng)作時(shí)： 不大于25W

b) 交流電壓回路??? 每相不大于0.5VA

c) 交流電流回路??? 額定電流為5A時(shí)：每相不大于1VA

額定電流為1A時(shí)：每相不大于0.5VA

2.1.4 狀態(tài)量電平：

CPU及通信接口模件的輸入狀態(tài)量電平??24V（18 V～30V）

CPU輸出狀態(tài)量（光耦輸出）允許電平 ?24V（18 V～30V）

2.2 主要技術(shù)性能

2.2.1采樣回路精確工作范圍（10％誤差）

電壓：0.4?V～120V

電流：0.08In－20In

2.2.2接點(diǎn)容量

信號(hào)回路接點(diǎn)載流容量 400VA

信號(hào)回路接點(diǎn)斷弧容量 60VA

2.2.3 各類元件定值精度

電流元件： < ±5%

電壓元件： < ±5%

檢同期角度： < ±1°

時(shí)間元件： 0s-1s時(shí)，誤差不超過40ms

1s以上時(shí)： 誤差不超過<±2.5％

頻率偏差： < ±0.02Hz

滑差定值： < ±5%

2.2.4 整組動(dòng)作時(shí)間(包括繼電器固有時(shí)間)

速動(dòng)段的固有動(dòng)作時(shí)間：1.2倍整定值時(shí)測(cè)量，不大于40ms。

2.2.5 暫態(tài)超越 ??不大于5%

2.2.6 模擬量測(cè)量回路精度

裝設(shè)專用測(cè)量子模件的測(cè)控裝置：

電流、電壓：0.2級(jí)

功率、電度：0.5級(jí)

2.3 絕緣性能

2.3.1 絕緣電阻

裝置的帶電部分和非帶電部分及外殼之間以及電氣上無(wú)聯(lián)系的各電路之間用開路電壓500V的兆歐表測(cè)量其絕緣電阻值，正常試驗(yàn)大氣條件下，各等級(jí)的各回路絕緣電阻不小于100MΩ。

2.3.2 介質(zhì)強(qiáng)度

在正常試驗(yàn)大氣條件下，裝置能承受頻率為50Hz，電壓2000V歷時(shí)1分鐘的工頻耐壓試驗(yàn)而無(wú)擊穿閃爍及元件損壞現(xiàn)象。試驗(yàn)過程中，任一被試回路施加電壓時(shí)，其余回路等電位互聯(lián)接地。

2.3.3沖擊電壓

在正常試驗(yàn)大氣條件下，裝置的電源輸入回路、交流輸入回路、輸出觸點(diǎn)回路對(duì)地，以及回路之間，能承受1.2/50μs的標(biāo)準(zhǔn)雷電波的短時(shí)沖擊電壓試驗(yàn)，開路試驗(yàn)電壓5kV。

2.3.4 耐濕熱性能

裝置能承受GB7261第21章規(guī)定的濕熱試驗(yàn)。試驗(yàn)溫度+40℃、濕度95％，試驗(yàn)時(shí)間為48小時(shí)，每一周期歷時(shí)24小時(shí)的交變濕熱試驗(yàn)，在試驗(yàn)結(jié)束前2小時(shí)內(nèi)根據(jù)2.3.1的要求，測(cè)量各導(dǎo)電電路對(duì)外露非帶電金屬部分及外殼之間、電氣上不聯(lián)系的各回路之間的絕緣電阻不小于1.5MΩ，介質(zhì)耐壓強(qiáng)度不低于2.3.2規(guī)定的介質(zhì)強(qiáng)度試驗(yàn)電壓幅值的75％。

2.4 電磁兼容性能

2.4.1 靜電放電抗干擾度

通過GB/T 17626.2－1998標(biāo)準(zhǔn)、靜電放電抗干擾Ⅳ級(jí)試驗(yàn)。

2.4.2 射頻電磁場(chǎng)輻射抗干擾度

通過GB/T 17626.3－1998標(biāo)準(zhǔn)、射頻電磁場(chǎng)輻射抗干擾度3級(jí)試驗(yàn)。

2.4.3 電快速瞬變脈沖群抗干擾度

通過GB/T 17626.4－1998標(biāo)準(zhǔn)、電快速瞬變脈沖群抗干擾度Ⅳ級(jí)試驗(yàn)。

2.4.4 浪涌（沖擊）抗干擾度

通過GB/T 17626.5－1999標(biāo)準(zhǔn)、浪涌（沖擊）抗干擾度3級(jí)試驗(yàn)。

2.4.5 射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)干擾度

通過GB/T 17626.6－1998標(biāo)準(zhǔn)、射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)干擾度3級(jí)試驗(yàn)。

2.4.6 工頻磁場(chǎng)抗干擾度

通過GB/T 17626.8－1998標(biāo)準(zhǔn)、工頻磁場(chǎng)抗干擾度5級(jí)試驗(yàn)。

2.4.7 脈沖磁場(chǎng)抗干擾度

通過GB/T 17626.9－1998標(biāo)準(zhǔn)、脈沖磁場(chǎng)抗干擾度5級(jí)試驗(yàn)。

2.4.8 阻尼振蕩磁場(chǎng)抗干擾度

通過GB/T 17626.10－1998標(biāo)準(zhǔn)、阻尼振蕩磁場(chǎng)抗干擾度5級(jí)試驗(yàn)。

2.4.9 振蕩波抗干擾度

通過GB/T 17626.12－1998標(biāo)準(zhǔn)、振蕩波抗干擾度4級(jí)試驗(yàn)。

2.5 機(jī)械性能

2.5.1 振動(dòng)

裝置能承受GB7261中16.3規(guī)定的嚴(yán)酷等級(jí)為I級(jí)的振動(dòng)耐久能力試驗(yàn)。

2.5.2 沖擊

裝置能承受GB7261中17.5規(guī)定的嚴(yán)酷等級(jí)為I級(jí)的沖擊耐久能力試驗(yàn)。

2.5.3 碰撞

裝置能承受GB7261第18章規(guī)定的嚴(yán)酷等級(jí)為I級(jí)的沖擊耐久能力試驗(yàn)。