產(chǎn)品詳情
碳化硅的長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性是目前業(yè)內(nèi)關(guān)注的核心問(wèn)題之一。由于寬禁帶半導(dǎo)體器件本身的特性，如大量的界面問(wèn)題導(dǎo)致的閾值電壓漂移問(wèn)題，傳統(tǒng)的基于硅器件的失效模型已無(wú)法充分覆蓋碳化硅的情況；研究表明需要采取動(dòng)態(tài)的老化測(cè)試手段來(lái)進(jìn)行評(píng)估。
針對(duì)SiC分立器件和模塊，廣電計(jì)量參照JEDEC、AECQ101及AQG324標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行檢測(cè)驗(yàn)證，能力不僅覆蓋用于驗(yàn)證傳統(tǒng)Si器件長(zhǎng)期穩(wěn)定性的所有方法，還開(kāi)發(fā)了針對(duì)SiC器件不同運(yùn)行模式的特定試驗(yàn)，在較短時(shí)間內(nèi)了解功率器件的老化特性，見(jiàn)表1。
表1 SiC器件/模塊特定可靠性試驗(yàn)
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試驗(yàn) |
試驗(yàn)條件 |
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HV-H3TRB |
VDS=0.8VDSmax，Ta=85°C, RH=85%，t≥1000h |
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高溫高濕反偏測(cè)試HTRB |
VDS=VDSmax，Tvj=175°C，VG =-10 V，t≥1000h |
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動(dòng)態(tài)高溫高濕反偏測(cè)試H3TRB |
VDS>0.5VDSmax，dVDS/dt(at DUT)>30V/ns, 15kHz≤f≤25 kHz,Ta=85°C, RH = 85%，t≥1000h |
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動(dòng)態(tài)反向偏壓（DRB） |
VDS≥0.8VDSmax，dVDS/dt (at DUT)=50V/ns，f ≥25 kHz，Ta= 25°C，t≥1000h |
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動(dòng)態(tài)柵偏（DGS） |
VGS = +22 to -8 f = 20 kHz, 10% duty cycle, VDS = 0, Tj=175 |
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動(dòng)態(tài)HTGB |
Ta=25℃；VDS=0V;dVGS/dt=1V/ns; f=100kHz;VGS=-4V/21V; 10^11cycles； |
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動(dòng)態(tài)高溫正向偏壓測(cè)試HTFB |
SiC體二極管雙極退化 |
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試驗(yàn)咨詢(xún)：鐘工 150-1416-6472 |
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