針對以上兩種應用，宏微科技推出75A-450A不同電流等級的半橋模塊和75A-150A的H橋一體化模塊。通過每相采用單個或兩個及以上半橋模塊并聯(lián)，基本可以覆蓋3kV-10kV高壓變頻器的中小功率范圍和一部分大功率范圍、3kV-35kV級聯(lián)儲能系統(tǒng)的中等容量范圍、3kV-35kV SVG的中等容量范圍。同時針對小功率段的高壓變頻器，使用H橋一體化模塊，可以減少模塊使用數量，大幅削減鏈節(jié)體積，降低結構成本。
半橋拓撲模塊
以MMG450WB170B6TC半橋模塊為例1產品特點- 基于GWB封裝平臺
- 功率密度高
- 低熱阻設計
- 低寄生電感
- 通過HV-H3TRB、防硫等可靠性試驗
1、常高溫下FRD壓降更低，熱阻更小；IGBT壓降與競品接近，但熱阻更小，從而使得整體發(fā)熱更小。
2、常高溫下，相同速度開關損耗更小，尖峰更低，寄生電感更小。
3、150℃，VGE=15V，Vcc=1000V條件下短路能力≥10us。
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4、通過HV-H3TRB和硫化等高可靠性試驗
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H橋一體化模塊
以MMG100W170HX6TC一體化模塊為例
1產品特點- 基于GW封裝平臺
- 集成度高
- 功率密度高
- 內置NTC電阻
- 通過HV-H3TRB、防硫等可靠性試驗
以往高壓變頻器應用為了搭建H橋拓撲，需要用2個“半橋的IGBT模塊”和1個“整流二極管模塊”來進行組合構建，總計使用3個功率模塊。
使用宏微MMG100W170HX6TC一體化模塊，只用1個模塊即可完成3個模塊的工作，同時還內置了NTC熱敏電阻，以輔助我們在實際工作中進行溫度監(jiān)控。
與原先方案對比，可實現(xiàn)的功能只多不少，而且1個一體化 IGBT模塊構成高壓變頻器的1個單元，使系統(tǒng)級聯(lián)設計變得更容易。
如果運行條件完全相同，使用一體化新產品可以大幅削減鏈節(jié)體積，從而縮小整機體積，降低結構成本，優(yōu)化電氣特性。
總 結宏微科技此次推出的1700V一系列產品，不僅在芯片性能上進行了改進，還在封裝形式上進行創(chuàng)新，有效地降低了功耗，提升了效率；還具有更出色的可靠性能力，HV-H3TRB、防硫化等使其在實際應用中表現(xiàn)更加優(yōu)秀。
我們相信，1700V這一系列的IGBT模塊將為工控、變頻、電能改善等領域的應用帶來更高的性能和可靠性，同時也將為行業(yè)發(fā)展帶來更多的創(chuàng)新和進步。
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