Black phosphorus（BP，黑磷）是納米電子器件應(yīng)用中最受關(guān)注的2D（二維）層狀材料之一，其獨(dú)特的性質(zhì)包括，根據(jù)其層數(shù)而變化的頻帶隙能量，隨著層數(shù)的減少，變化范圍可從0.3eV（塊體）到2.0eV（單層）。通常，包括BP在內(nèi)的2D層狀材料在合成方面，由于時(shí)間、溫度等工藝因素，都具有一定的局限性，BP在空氣中極不穩(wěn)定，因此，其從塊體材料到2D層狀材料的加工，需要采用一定的減薄技術(shù)來(lái)控制減薄的厚度。


　　據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，韓國(guó)成均館大學(xué)（Sungkyunkwan University）先進(jìn)材料科學(xué)與工程學(xué)院的Jin Woo Park等研究人員，采用了一種控制Ar+（氬離子）離子束方案，進(jìn)行了BP層控制減薄研究。通過(guò)采用45–48 eV的近乎單能離子能量的Ar+離子束，BP可以以約0.55nm/min的速度減薄至雙層BP，并且不會(huì)引起表面粗糙，或改變表面的化學(xué)鍵狀態(tài)。同時(shí)，Ar+離子束還能去除原料BP上的BP氧化物。利用減薄的雙層——10層BP制造的2D BP場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），展現(xiàn)出了與那些原始BP場(chǎng)效應(yīng)晶體管相似的電學(xué)性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明單能離子能量的Ar+離子束減薄工藝，并未損害2D層狀BP材料的電學(xué)性能。

　　該研究成果發(fā)表于2017年10月16日刊登的《Journal of Materials Chemistry C》。

　　北京埃德萬(wàn)斯離子束研究所股份有限公司自主研發(fā)的Advanced LKJ系列離子束刻蝕系統(tǒng)，為通用離子束刻蝕系統(tǒng)，除了可進(jìn)行傳統(tǒng)微納結(jié)構(gòu)刻蝕外，還可實(shí)現(xiàn)離子束清洗、材料表面拋光和材料減薄等功能，還可實(shí)現(xiàn)化學(xué)輔助離子束刻蝕（CAIBE）與反應(yīng)離子束刻蝕（RIBE）。