中國科技大學郭光燦院士領導的中科院量子信息重點實驗室，近期在半導體門控量子點的研究中取得重要進展。該實驗室的郭國平教授研究組與其合作者深入探索二維層狀過渡金屬硫族化合物應用于半導體量子芯片的可能性，實驗上首次在半導體柔性二維材料體系中實現(xiàn)了全電學調控的量子點器件。

　　經過幾十年的發(fā)展，半導體門控量子點作為一種量子晶體管已經成為量子芯片的熱門候選體系之一。以石墨烯為代表的二維材料體系因為其天然的單原子層厚度、優(yōu)異的電學性能、易于集成等優(yōu)點，成為柔性電子學、量子電子學的重點研究對象。然而自石墨烯被發(fā)現(xiàn)之后的十幾年里，科學家們經過大量的實驗嘗試，發(fā)現(xiàn)石墨烯中能帶結構、界面缺陷雜質等因素對量子點器件的性能有很大的影響。直到目前，二維材料中的量子點還無法實現(xiàn)有效的電學調控。

　　針對這種情況，郭國平研究組與日本國立材料研究所Takashi　Taniguchi和Kenji　Watanabe研究員以及理化研究所的Franco　Nori教授合作，選擇新型二維材料二硫化鉬進行深入研究。該材料具有合適的帶隙、較強的自旋軌道耦合強度以及豐富的自旋——能谷相關的物理現(xiàn)象，因此在量子電子學，尤其是自旋電子學和能谷電子學中具有廣闊的應用前景。

　　經過大量的嘗試，研究組利用微納加工、低溫LED輻照等一系列現(xiàn)代半導體工藝手段，結合當前二維材料體系研究中廣泛采用的氮化硼封裝技術，有效減少了量子點結構中的雜質、缺陷等，首次在這類材料中實現(xiàn)了全電學可控的雙量子點結構。