眾所周知，LED芯片行業(yè)在過去很長一段時(shí)間內(nèi)由于新增的大規(guī)模投資產(chǎn)能釋放導(dǎo)致價(jià)格大幅下跌，雖然目前跌幅趨穩(wěn)并有小幅回升，但是為了爭奪市場的主導(dǎo)權(quán)，未來存在再次出現(xiàn)市場價(jià)格非理性競爭的可能性。同時(shí)，由于LED 芯片質(zhì)量對(duì)下游封裝環(huán)節(jié)或終端產(chǎn)品的質(zhì)量有較大的影響，客戶對(duì) LED 芯片的一致性、穩(wěn)定性、光衰、發(fā)光效率等指標(biāo)有較高的要求。

　　目前，日本、美國壟斷高效芯片技術(shù)，占據(jù)高端市場。國內(nèi)LED 芯片技術(shù)的主要問題是：光輸出功率低、發(fā)光效率不高、生產(chǎn)效率不高，造成該問題的主要原因是芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制備技術(shù)落后。我國在該領(lǐng)域落后于國際領(lǐng)先水平，限制了我國LED照明與高端顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　華燦光電股份有限公司（以下簡稱“華燦光電”）作為國內(nèi)領(lǐng)先的LED芯片供應(yīng)商，是“新材料、新能源”領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，多年來致力于研發(fā)、生產(chǎn)、銷售全色系高品質(zhì)LED外延材料與芯片。

　　近期，華燦光電研發(fā)出新產(chǎn)品“高光效LED芯片”，并成功推向市場。據(jù)悉，該高光效LED芯片技術(shù)已經(jīng)取得相關(guān)的發(fā)明專利，該技術(shù)圍繞發(fā)光功率、內(nèi)外量子效率、外量子效率、生產(chǎn)效率四個(gè)方面，突破核心技術(shù)，創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)先進(jìn)制造，最終創(chuàng)造出高光效芯片，支撐了產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　一、獨(dú)特結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的GaN-LED芯片及其制備技術(shù)。針對(duì)GaN基LED芯片藍(lán)寶石襯底散熱不良問題，通過芯片結(jié)構(gòu)版圖創(chuàng)新設(shè)計(jì)，研制成功可直接貼片封裝的高光效芯片及其制備技術(shù)。

　　二、類超晶格插入層技術(shù)。發(fā)明具有AlxGa1-xN/GaN類超晶格周期結(jié)構(gòu)插入層及其制備技術(shù)，減小晶格失配，提高晶體質(zhì)量，減少位錯(cuò)和非輻射復(fù)合中心，提高芯片內(nèi)量子效率。

　　三、界面修飾集成制備技術(shù)。通過采用截面修飾集成制備技術(shù)，減少光子界面損耗，提高外量子效率；優(yōu)化制備圖形化襯底和DBR反光層，大幅度提高芯片出光效率。

　　四、AlN緩沖層技術(shù)。開發(fā)AlN緩沖層PVD沉積技術(shù)，在藍(lán)寶石襯底上由PVD法沉積一層AlN單晶薄膜，大幅減少界面失配，不僅提高了單晶薄膜晶體質(zhì)量，而且大幅提升生產(chǎn)效率。

　　通過多年努力，華燦光電取得了4 項(xiàng)重大關(guān)鍵技術(shù)，成功研發(fā)出“高光效LED芯片”，突破瓶頸，有力提升了我國高光效 LED 芯片國際競爭力。

　　基于該產(chǎn)品具有獨(dú)特的創(chuàng)新性以及極強(qiáng)的市場競爭力，華燦光電決定攜該產(chǎn)品前來爭奪2017高工LED金球獎(jiǎng)“年度創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)”。

　　關(guān)于華燦光電

　　華燦光電自設(shè)立以來一直從事 LED 外延片及芯片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售業(yè)務(wù)，主要產(chǎn)品為外延片以及全色系 LED 芯片。目前，公司主營業(yè)務(wù)主要為生產(chǎn)、銷售高亮度 LED 外延片及芯片，LED 芯片經(jīng)客戶封裝后可廣泛應(yīng)用于全彩顯示屏、背光源及照明等應(yīng)用領(lǐng)域。

　　公司在 2016 年借助并購藍(lán)晶科技，新增藍(lán)寶石單晶、外延襯底以及其他藍(lán)寶石窗口材料業(yè)務(wù)。美新半導(dǎo)體并購正在進(jìn)行中，積極切入物聯(lián)網(wǎng)核心器件微機(jī)械領(lǐng)域。公司的并購著眼于行業(yè)前沿技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈上下協(xié)同，未來將繼續(xù)推進(jìn)國際合作及并購。