前有VEECO訴訟中微，今有美光訴訟晉華，兩宗針對中國半導體企業(yè)的訴訟案件給中國的存儲產(chǎn)業(yè)熱正面潑來了一盆冷水。

　　本月初，美光根據(jù)“保護營業(yè)秘密法”，以及“反勒索及受賄組織法”，在加州北部聯(lián)邦法庭提起民事訴訟申請，狀告臺灣代工廠聯(lián)華電子（UMC）和福建晉華盜竊其商業(yè)機密等不當行為。美光公司發(fā)言人稱“美光積極保護其全球智財權(quán)，并將利用所有可用的法律武器來解決一切盜用行為?！?

　　同為專注于存儲器產(chǎn)業(yè)的公司，美光為國際大鱷，并與三星和SK海力士分享著全球90%以上的DRAM芯片蛋糕，而晉華則為存儲器產(chǎn)業(yè)中的新貴，與長江存儲、長鑫被稱為中國存儲產(chǎn)業(yè)的三駕馬車。從體量上來說，晉華遠不是美光的對手，不至于因為生意沖突對簿公堂，但包括晉華在內(nèi)的中國存儲新勢力的崛起所帶來的潛在威脅，這也許才是美光所無法忽視的。

　　近幾年，作為渴望在半導體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)自主突破的中國來說，存儲器產(chǎn)業(yè)成為了重要的突破口，尤其是在全球DRAM芯片九成份額都掌握在韓美兩國的大背景下。

　　去年，武漢投資1600億元人民幣建設(shè)世界級存儲器基地，主攻方向是NAND Flash。雖然當時并沒有引起市場太多反彈，但隨著目前國內(nèi)三大存儲器廠商陸續(xù)進入設(shè)備安裝階段，巨頭們顯然無法坐的安穩(wěn)了。

　　先是三星宣布繼續(xù)擴大資本支出，從去年的113億美元增加至260億美元，在研發(fā)池中穩(wěn)固自我優(yōu)勢，后是聯(lián)合SK海力士向客戶發(fā)出漲價通知，明年一季度DRAM將會繼續(xù)漲價，拉開產(chǎn)能差距。再結(jié)合美光近期的激進行為，三家全球頂級存儲器廠商都已經(jīng)出招。

　　從這個角度看，針對中國企業(yè)的專利的大戰(zhàn)將會隨時打響。過去三星、海力士和美光在專利侵權(quán)方面傾向于相互之間睜一只眼閉一只眼，但是，如果一家新公司進入市場，他們將不會給予這樣的優(yōu)待。而中國企業(yè)想要避開三星專利下做出3D NAND，顯然是非常困難的。并且，存儲產(chǎn)業(yè)在初級階段可以依靠“燒錢”形成一定的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，但如果想要在高精尖的技術(shù)上實現(xiàn)突破將會需要更長的時間。

　　但是，作為一個重要的半導體器件，存儲器占了集成電路產(chǎn)值的三分之一，即便是距離成功的路途再遙遠，也需要持續(xù)投入。所以，這幾年不少地方政府不計成本的投入本質(zhì)上也是在加速技術(shù)擴散的過程，以吸引更多的先進技術(shù)和管理方法進入國內(nèi)，從而縮小與國際巨頭之間的差距。