日前，國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項“氮化物半導(dǎo)體新結(jié)構(gòu)材料和新功能器件研究”項目在北京正式宣布啟動。

　　該項目由北京大學(xué)牽頭，聯(lián)合清華大學(xué)、北京郵電大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院、中國電子科技集團公司第五十五研究所、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、合肥彩虹藍光科技有限公司等14家單位共同承擔(dān)。

　　項目將圍繞后摩爾時代信息領(lǐng)域?qū)Ψ至⒐怆娮雍碗娮悠骷男枨?，開展基于氮化物半導(dǎo)體新結(jié)構(gòu)材料和新功能器件的研究，重點突破氮化物半導(dǎo)體的零維量子點、一維量子線和二維量子阱及其復(fù)合結(jié)構(gòu)等低維量子結(jié)構(gòu)的制備等，為第三代半導(dǎo)體材料和器件的持續(xù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。

　　2016年，國家啟動了“十三五”國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項，這是科技部高技術(shù)研究發(fā)展中心負責(zé)管理的25個專項之一。該專項按照第三代半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體照明、新型顯示、大功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材料4個技術(shù)方向，共部署35個研究任務(wù)，實施周期為5年（2016-2020 年）。

　　資料顯示，面向上述4個技術(shù)方向，該重點專項在2016 年已啟動15個研究任務(wù)的27個項目，2017年已啟動15個研究任務(wù)的37個項目，2018年啟動5個研究任務(wù)，擬支持12-24 個項目，擬安排國撥經(jīng)費總概算為1.77億元。

　　這次啟動的“氮化物半導(dǎo)體新結(jié)構(gòu)材料和新功能器件研究”項目屬于2018年5個研究任務(wù)之一“第三代半導(dǎo)體新結(jié)構(gòu)材料和新功能器件研究”中的項目，項目若順利完成，將有利于推動我國在寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域的進一步發(fā)展。

　　以氮化鎵、碳化硅為主的第三代半導(dǎo)體具備高頻高效、抗輻射能力強等優(yōu)越性能，被視為支撐能源、交通、信息、國防等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心技術(shù)，成為了全球各國爭先搶占的戰(zhàn)略制高點。近年來，中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)研究機產(chǎn)業(yè)發(fā)展受到了央地政府的高度重視，相繼出臺多項政策支持。

　　目前而言，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體與國際水平仍存在較大差距，但總體有著較好的發(fā)展態(tài)勢，隨著從國家到地方進一步加大力度、政策引導(dǎo)效應(yīng)逐步顯現(xiàn)以及相關(guān)研究項目的相繼取得成果，再加上國內(nèi)人工智能、5G通訊等發(fā)展迅猛，我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)及產(chǎn)業(yè)將迎步入發(fā)展快車道。