近日,國(guó)星光電投資美國(guó) RaySent 科技公司事項(xiàng)取得廣東省商務(wù)廳核準(zhǔn)并予以頒發(fā)《企業(yè)境外投資證書(shū)》,其余境外投資的核準(zhǔn)及報(bào)備文件正在陸續(xù)辦理。
去年10月,佛山市國(guó)星光電股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“公司”)第四屆董事會(huì)第二次會(huì)議審議通過(guò)了《關(guān)于投資美國(guó) RaySent 科技公司進(jìn)行 LED 大功率芯片研發(fā)的議案》。
2016年12月13日,國(guó)星與美國(guó) RaySent 科技公司(RaySent Technologies, Inc.)(以下稱“RaySent 科技”)簽署增資協(xié)議,公司以自有資金 1,100 萬(wàn)美元增資 RaySent 科技,投資完成后,RaySent 科技成為公司的控股子公司。
RaySent 科技主要研發(fā)、生產(chǎn)、銷售 LED 外延、芯片、器件及 LED 照明產(chǎn)品,以及其他半導(dǎo)體類相關(guān)器件及產(chǎn)品,提供售后服務(wù),技術(shù)支持,相關(guān)工程和服務(wù)。
2016年,擁有硅襯底大功率 LED 芯片及相關(guān)專有技術(shù)的主要核心團(tuán)隊(duì)成員在美國(guó)成立 RaySent 科技,其所具有的知識(shí)產(chǎn)權(quán)及專有技術(shù)涵蓋了外延生長(zhǎng)、芯片制造、封裝等 LED 生產(chǎn)過(guò)程的全部環(huán)節(jié)。
通過(guò)本次合作, RaySent 科技將獨(dú)有的硅襯底 GaN 外延技術(shù)及垂直結(jié)構(gòu) LED 及其衍生結(jié)構(gòu)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)授權(quán)給國(guó)星光電及子公司,并通過(guò)國(guó)星光電及子公司實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
硅襯底擁有晶體尺寸大、成本低、易加工、熱導(dǎo)率高和熱穩(wěn) 定性好等優(yōu)點(diǎn),可大幅降低 LED 芯片的造價(jià),有利于 LED 器件的小型化和高電流密度化發(fā)展。同時(shí),可期待薄膜結(jié)構(gòu)的硅基 GaN LED 芯片有更高的良率和更好的器件可靠性。
國(guó)星光電表示,本次投資的 RaySent 科技硅襯底大功率 LED 芯片及相關(guān)專有技術(shù)具有高技術(shù)性和商業(yè)價(jià)值。RaySent 科技團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期研究及優(yōu)化的薄膜結(jié)構(gòu) LED 芯片適用范圍廣,且相關(guān)芯片產(chǎn)品普遍利潤(rùn)率較高,將有助于公司規(guī)避同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng),打造具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的新產(chǎn)品投放市場(chǎng),可實(shí)現(xiàn)公司短時(shí)間、低成本地提高現(xiàn)有產(chǎn)品性能和規(guī)模化生產(chǎn)之目標(biāo)。
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