近日，國(guó)星光電投資美國(guó) RaySent 科技公司事項(xiàng)取得廣東省商務(wù)廳核準(zhǔn)并予以頒發(fā)《企業(yè)境外投資證書(shū)》，其余境外投資的核準(zhǔn)及報(bào)備文件正在陸續(xù)辦理。

　　去年10月，佛山市國(guó)星光電股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“公司”）第四屆董事會(huì)第二次會(huì)議審議通過(guò)了《關(guān)于投資美國(guó) RaySent 科技公司進(jìn)行 LED 大功率芯片研發(fā)的議案》。

　　2016年12月13日，國(guó)星與美國(guó) RaySent 科技公司（RaySent Technologies， Inc．）（以下稱“RaySent 科技”）簽署增資協(xié)議，公司以自有資金 1，100 萬(wàn)美元增資 RaySent 科技，投資完成后，RaySent 科技成為公司的控股子公司。

　　RaySent 科技主要研發(fā)、生產(chǎn)、銷售 LED 外延、芯片、器件及 LED 照明產(chǎn)品，以及其他半導(dǎo)體類相關(guān)器件及產(chǎn)品，提供售后服務(wù)，技術(shù)支持，相關(guān)工程和服務(wù)。

　　2016年，擁有硅襯底大功率 LED 芯片及相關(guān)專有技術(shù)的主要核心團(tuán)隊(duì)成員在美國(guó)成立 RaySent 科技，其所具有的知識(shí)產(chǎn)權(quán)及專有技術(shù)涵蓋了外延生長(zhǎng)、芯片制造、封裝等 LED 生產(chǎn)過(guò)程的全部環(huán)節(jié)。

　　通過(guò)本次合作， RaySent 科技將獨(dú)有的硅襯底 GaN 外延技術(shù)及垂直結(jié)構(gòu) LED 及其衍生結(jié)構(gòu)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)授權(quán)給國(guó)星光電及子公司，并通過(guò)國(guó)星光電及子公司實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。

　　硅襯底擁有晶體尺寸大、成本低、易加工、熱導(dǎo)率高和熱穩(wěn) 定性好等優(yōu)點(diǎn)，可大幅降低 LED 芯片的造價(jià)，有利于 LED 器件的小型化和高電流密度化發(fā)展。同時(shí)，可期待薄膜結(jié)構(gòu)的硅基 GaN LED 芯片有更高的良率和更好的器件可靠性。

　　國(guó)星光電表示，本次投資的 RaySent 科技硅襯底大功率 LED 芯片及相關(guān)專有技術(shù)具有高技術(shù)性和商業(yè)價(jià)值。RaySent 科技團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期研究及優(yōu)化的薄膜結(jié)構(gòu) LED 芯片適用范圍廣，且相關(guān)芯片產(chǎn)品普遍利潤(rùn)率較高，將有助于公司規(guī)避同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)，打造具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的新產(chǎn)品投放市場(chǎng)，可實(shí)現(xiàn)公司短時(shí)間、低成本地提高現(xiàn)有產(chǎn)品性能和規(guī)模化生產(chǎn)之目標(biāo)。