總結： 繼我們于今年9月份點評“存儲器芯片下行趨勢已定，這次有多糟呢？“以來，疊加英特爾14納米x86 CPU 短缺、客戶清理內(nèi)， 閃存（DRAM/NAND）庫存、虛擬貨幣崩跌和蘋果于11月初下修其iPhone智能手機產(chǎn)業(yè)鏈訂單近30%等不利影響，美光預期第一季度銷售環(huán)比衰退20-28%及同比衰退14-22%而遠低于市場預期的8%環(huán)比衰退及0%同比衰退， 而營業(yè)利潤率將從4Q18的48%,大幅下跌至1Q19的36-40%。

　　因為需求及價格暴跌，美光下調其資本支出從105億美元到90-95億美元，并且下砍2019年的DRAM需求同比位元增長（bit growth）從20%到15%,NAND需求同比位元增長從40%到35%。我們的預估未來三個季度，每個季度內(nèi)存DRAM環(huán)比位元價格（bit price）將下跌5-10%,每個季度閃存NAND環(huán)比位元價格（bit price）將下跌10-15%,美光及其他大廠營業(yè)利潤率將下探20%以下。

　　雖然存儲器價格下行趨勢確立，但我們預估此次下行趨勢持續(xù)時間應不超過12個月（從2019年一月起算）。英特爾14納米x86 CPU 短缺狀況應會于明年下半年舒緩，10納米x86 CPU應于明年下半年量產(chǎn)，AMD 7納米x86 CPU, 高通7納米智慧手機芯片問世，5G手機，云端的人工智能服務器需求都將對存儲芯片產(chǎn)生正面影響。但此下行趨勢對明年即將量產(chǎn)的中國主流存儲芯片大廠長江存儲， 合肥長鑫的短期獲利前景是雪上加霜，但2019年15%的全球DRAM同比位元增長及35%的NAND同比位元需求增長率加上即將量產(chǎn)的長江存儲及合肥長鑫的內(nèi)/閃存的位元新增，對于成本加成法的存儲芯片封測廠太極實業(yè)（增加封裝芯片數(shù)量及測試時間）還是相對有利。

　　投資建議 中國大陸重點關注公司：長江存儲，合肥長鑫，太極實業(yè) 全球重點關注公司：SK 海力士，美光

　　風險提示： 雖然我們預估此次存儲器芯片產(chǎn)業(yè)下行趨勢應不超過12個月（從2019年一月起算），相關廠商不至于步入虧損，但我們不能排除下行趨勢中所引發(fā)的全面清庫存的動作，所可能引發(fā)遠高于市場預期的價格崩跌， 及半導體制程工藝演進因價格崩跌而加速產(chǎn)出，造成遠高于市場預期的存儲器芯片供給。