產(chǎn)品詳情
生產(chǎn)型TGV/TSV/TMV 高真空磁控濺射鍍膜機（Sputter-2000W系列）該設備用于玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的鍍膜，深徑比>10:1。例如：用于基板鍍膜工序Cu/Ti微結(jié)構(gòu)，Au/TiW傳輸導線雙體系膜層淀積能力，為微系統(tǒng)集成密度提升提供支撐。
本設備優(yōu)點：膜層均勻性及重復性高，膜層附著力強，設備依據(jù)工藝配方進行可編程自動化控制。
設備結(jié)構(gòu)及性能參數(shù)
- 單鍍膜室、雙鍍膜室、多腔體鍍膜室
- 臥式結(jié)構(gòu)、立式結(jié)構(gòu)
- 線列式、團簇式
- 樣品傳遞：直線式、圓周式
- 磁控濺射靶數(shù)量及類型：多支矩形磁控靶
- 磁控濺射靶：直流、射頻、中頻、高能脈沖兼容
- 基片可加熱、可升降、可加偏壓
- 通入反應氣體，可進行反應濺射鍍膜
- 操作方式：手動、半自動、全自動
- 基片托架：根據(jù)基片尺寸配置
- 基片幅面：2、4、6、8、10英寸及客戶要求尺寸
- 進/出樣室極限真空度：≤8X10^-5Pa
- 進/出樣室工作背景真空度：≤2X10^-3Pa
- 鍍膜室的極限真空度：5X10^-5Pa
- 工作背景真空度：8X10^-4Pa
- 膜層均勻性：<5%（片內(nèi)），<5%（片間）
- 設備總體漏放率：關(guān)機12小時真空度≤10Pa
工作條件
| 類型 | 參數(shù) | 備注 |
| 供電 | ～380V | 三相五線制 |
| 功率 | 根據(jù)設備規(guī)模配置 | |
| 冷卻水循環(huán) | 根據(jù)設備規(guī)模配置 | |
| 水壓 | 1.0～1.5×105Pa | |
| 制冷量 | 根據(jù)散熱量配置 | |
| 水溫 | 18～25℃ | |
| 氣動部件供氣壓力 | 0.5MPa～0.7MPa | |
| 質(zhì)量流量控制器供氣壓力 | 0.05MPa～0.2MPa | |
| 工作環(huán)境溫度 | 10℃～40℃ | |
| 工作環(huán)境濕度 | ≤50% |
