| IBM微電子公司（位于美國紐約州的East Fishkill）和Motorola半導體公司（位于美國阿利桑那州的Phoenix ）最近各自都為其即將投產(chǎn)的生產(chǎn)線解決了一些生產(chǎn)技術(shù)問題;這些問題的解決,可以在縮小特征尺寸,使器件性能得以提高的基礎上,進一步提高了產(chǎn)品的性能。IBM公司在它的銅數(shù)字型ASIC生產(chǎn)工藝中,進一步采用低介電系數(shù)的聚合物取代二氧化硅。Motorola公司則在它的BiCMOS RF生產(chǎn)工藝中集成了異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管（HBT）的生產(chǎn)工藝模塊。 ---- IBM公司是在它的Cu-11 ASIC工藝中采用了Dow Chemical公司生產(chǎn)的一種碳氫化合物的聚合物。此種聚合物稱為SiLK具有許多優(yōu)良的性能,適合用于集成電路的生產(chǎn)。Cu-11工藝,是一種0.13μm的CMOS工藝,采用嵌入銅連接線工藝技術(shù)。 | 圖：此圖是IBM公司提供的。圖中顯示,矩形截面的銅連接線,在低介電系數(shù)的聚合物中,設置的間距可以比在二氧化硅中的間距小得多。因此可以使芯片的時鐘頻率提高30％。 |  | ---- SiLK的介電系數(shù)為2.65,比SiO2小40%。由于是銅,連接線截面可以減小;由于是SiLK,間距可以縮小,而不至于引起電容過大。兩個因素合在一起使芯片的性能得以提高30%。 ---- SiLK聚合物的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度（Tg）超過490℃;低于Tg時,聚合物不顯露蠕變現(xiàn)象。在450℃以下,聚合物性質(zhì)是穩(wěn)定的,可以經(jīng)受Cu-11半導體工藝的加工工序。它既可以和在常規(guī)CMOS工藝中,采用鋁,鎢做連接線的工藝兼容;又可以和采用嵌入銅連接線的工藝兼容。 ---- 從機械性能方面考慮,此聚合物的平坦性和對縫隙的填充性能都不錯,估計在0.10μm的工藝中都可以采用它。Dow Chemical公司說,它的價格并不比SiO2貴。IBM公司現(xiàn)在已經(jīng)將它用來生產(chǎn)ASIC。 ---- Motorola公司則在它的0.35μm BiCMOS RF工藝生產(chǎn)線上,解決RF技術(shù)問題,努力提高極限工作頻率。0.35μm BiCMOS RF工藝,是經(jīng)過生產(chǎn)考驗的成熟的主流生產(chǎn)工藝,Motorola公司是在此工藝基礎上集成了生產(chǎn)硅鍺：碳 ( SiGe:C ) 異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管（HBT）的工藝模塊。（增加了一些工序,并設法與原工藝兼容。） ---- 新的HBT晶體管 截止頻率超過50GHz,最高振蕩頻率可達90GHz。同時,新晶體管的工作電流,只需現(xiàn)在生產(chǎn)中的SiGe HBT晶體管的一半。 ---- 新生產(chǎn)工藝的鑒定將在今年年底前完成,2001年年初即可開始投入生產(chǎn)。如愿了解更多的情況,可訪問IBM的網(wǎng)址：http://www.chips.ibm.com和Motorola的網(wǎng)址：http：//www.motorola.com。 |
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