| NanoSciences公司（位于美國(guó)康涅狄格州的Oxford）的研究人員,成功地開發(fā)了一種核心微加工工藝技術(shù)�？梢栽诎雽�(dǎo)體材料上加工出深寬比十分高的,微細(xì)深溝道。此項(xiàng)核心技術(shù)在電子影像處理,和其它先進(jìn)構(gòu)造的制作方面具有十分巨大的潛力,為許多重要產(chǎn)品的生產(chǎn)創(chuàng)造了條件。  | 圖：硅腐蝕工藝技術(shù)可以在硅材料上作成長(zhǎng)度為7微米,中心間距為8微米,深度為300微米的溝道網(wǎng)。 | ---- 此項(xiàng)光刻工藝技術(shù)可以形成位置十分精確的,貫通整個(gè)硅晶圓片的穿孔。穿孔的直徑可以小于深度的百分之一。如此高的深寬比,是迄今為止其它任何加工方法達(dá)不到的;是用其它方法在硅晶圓片上所制成穿孔深寬比的許多倍。 ---- 在p-型硅材料上,用電化學(xué)方法在電解液中制成微溝道的電極板。使形成的微溝道布滿整個(gè)材料。再將微溝道的表面生長(zhǎng)成絕緣的二氧化硅。然后再在溝道的絕緣表面上淀積一層具有高電子發(fā)射率的二次發(fā)射材料。 ---- 采用此種方法生產(chǎn)的產(chǎn)品,它的電子倍增性能不亞于現(xiàn)有的玻璃微溝道電極板的性能。該公司已經(jīng)制成直徑為100mm的晶圓片。并且計(jì)劃生產(chǎn)直徑為200-mm和300-mm的晶圓片。 ---- 除了可以制造半導(dǎo)體的微溝道電極板以外,此項(xiàng)技術(shù)制成的穿孔,還可以在多芯片裝配過程中,用來形成晶圓片的穿孔。此外,還可以用在高功率器件中,形成集成的熱管作為散熱器用;還可以做成陣列用作x-射線的閃爍電極板。如欲了解更多的信息,請(qǐng)和NanoSciences公司的Phillip DiMascio先生聯(lián)系,美國(guó)電話號(hào)碼為：001-203-881-2827,網(wǎng)址為;http;//www.nanosciences.com。 |
66821730(技術(shù)支持)
