| 大電流,8引出端的封裝,熱阻降低達(dá)到1℃/W,典型的導(dǎo)通電阻值為4.5mΩ ---- 市場(chǎng)上對(duì)于能夠處理大電流,并且具有小型封裝的高功率MOSFET器件的需求越來(lái)越大,從而促使人們?nèi)ヅ﹂_(kāi)發(fā)8引出端封裝,使它的熱特性能夠超過(guò)所有其它形式的封裝。新開(kāi)發(fā)的封裝采用突起的焊料接觸點(diǎn),不需要使用連接線,能夠適應(yīng)現(xiàn)有的和正在開(kāi)發(fā)中的微處理器對(duì)于散熱的要求。 
圖：無(wú)底的SOIC封裝采用了焊料突起結(jié)構(gòu),結(jié)到封裝外殼的熱阻可以降低到1℃/W;遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)的八引出端的SOIC封裝。 | ---- 仙童半導(dǎo)體公司（位于美國(guó)加州的Sunnyvale）開(kāi)發(fā)成功了稱為無(wú)底封裝(bottomless package)的新型封裝。它是工業(yè)界第一次出現(xiàn)的具有八個(gè)引出端,占用線路板的面積和SOIC相同的標(biāo)準(zhǔn)封裝。它的熱性能又和比它大得多的TO-263（D2 Pak）封裝相當(dāng)。它采用焊料突起技術(shù),即在進(jìn)行裝配前,先在晶圓片上形成焊料的突起用作連接,而不需用通常使用的連接線。 ---- 近來(lái)用于數(shù)字化電子產(chǎn)品電源的DC/DC變換器,數(shù)量越來(lái)越多;變換器采用功率MOSFET,提供需要低電壓和大電流的電源。這類電子產(chǎn)品還包括下一代的服務(wù)器和臺(tái)式計(jì)算機(jī),它們所用的微處理器電流可能高達(dá)80A。仙童公司所開(kāi)發(fā)的此種封裝,就是針對(duì)這種功率MOSFET的要求而開(kāi)發(fā)的。 ---- 由于廢棄了傳統(tǒng)的連接線,采用焊料突起作連接有利于散熱;其次,在結(jié)構(gòu)上又使MOSFET芯片的背面直接和散熱器接觸;從而使封裝的結(jié)到封裝外殼的熱阻由過(guò)去的SOIC的25℃/W,降低到1℃/W。耗散的熱量除了經(jīng)由漏極接觸通過(guò)封裝底部散出外,還可以經(jīng)由源極焊料接觸散發(fā)出去,從而進(jìn)一步改善了散熱條件。 ---- 從表中數(shù)據(jù)可以看出無(wú)底封裝的導(dǎo)通電阻最小;由結(jié)到環(huán)境的熱阻比相當(dāng)?shù)腄2-PAK和SOIC封裝都低;而能夠處理的電流卻要大60%。這樣,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員就有可能在不增加線路板的面積,或增加元件的數(shù)量的情況下,得到更多的輸出電流。 ---- 仙童公司計(jì)劃首先用無(wú)底封裝,裝配一批PowerTrench系列的MOSFET器件。第一種產(chǎn)品將是FDS7044A MOSFET;當(dāng)VGS為4.5V時(shí),它的RDS(ON)導(dǎo)通電阻的典型值為4.5mΩ,輸出電流為20.9A。當(dāng)批量達(dá)到1萬(wàn)只時(shí),每只價(jià)格為0.95美元。如愿了解更多的信息,請(qǐng)和仙童半導(dǎo)體公司的客戶服務(wù)部聯(lián)系,美國(guó)電話為：001-888-522-7372;或請(qǐng)?jiān)L問(wèn)PowerTrench網(wǎng)頁(yè)：http://www.powertrench.com。 ----Spencer Chin/王正華譯 |
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