| 去年,模擬線路和混合信號集成電路的開發(fā)仍然是沿著產業(yè)界的要求：縮小體積,降低成本和減少功率消耗在進行。在模擬集成電路產品中,Analog Devices公司（位于馬塞諸塞州的Norwood）提供的AD855x/857x自動歸零運算放大器（參看《今日電子》 1999第9期,p43）比較出色,是3到5V運放中精度最高的品種。當供應批量超過1000只時,每只的價格為1.14美元,比同類的相當產品低50%。器件的精度超過20位,在 - 40～125℃的溫度范圍內,電壓漂移不超過1μV。 
----這些運算放大器的噪音也很低,無1 / f噪音,過載后恢復也很快（最大約為200～250μs）。輸入和輸出均可滿量程下運行。 ----Microtune公司（位于美國得克薩斯州的Plano）推出的微調諧器Microtuner（本刊去年第５期,p36）是一種集成化的寬頻帶TV調諧器用IC,它的體積比現(xiàn)有的分立器件小,而且不需要人工調整。它可以用于有線電視作雙變頻調諧器,也適合應用于廣播電視作一次變頻調諧器。它還具有選擇性高,鏡像抑制性能好,和阻抗匹配性能好等優(yōu)點。  ----在比較器一類的產品中,Linear Technology公司（位于美國加州的Milpitas）開發(fā)的高壓絕緣的儀器用比較器LTC1531（見本刊去年第５期,p35）以其自置供電線路和采用SSOP封裝為特色。它的電容絕緣隔離可以耐受3000Vrms的電壓。供電的一側,還具有鎖存的數(shù)據(jù)輸出端和一個脈沖零交叉電平的輸出端。 ----在分立半導體器件方面,仙童半導體公司（位于美國加州Sunnyvale）宣布的FDC6306P雙p-溝道功率MOSFET（參看Electronic Products, June 1999, p. 76）,在同樣封裝大小的同類器件中具有最小的導通電阻RDS（ON）。FDC6306P在VGS = - 4.5 V和ID = - 1.9 A時,導通電阻最大不超過160mΩ;在VGS = - 2.5 V和ID = - 1.7 A 時,最大不超過230mΩ。2.5V的MOSFET是封裝在公司自己開發(fā)的Super-SOT-6封裝中。 ----該器件的最大額定數(shù)值有以下幾項：VDSS = - 20 V ;VGSS = ± 8V ;連續(xù)ID = - 1.9 A ;脈沖ID = -5 A 。柵極電荷的典型值為3nC。 ----Vishay Siliconix公司（位于美國加州的Santa Clara）推出的Si4430DY的n-溝道MOSFET（參看本刊去年第5期,P.34）導通電阻減低到4mΩ,封裝采用8引出端的SOP封裝。該MOSFET的工作電流可達 28 A , 耗散功率可達3.75 W。 ----該晶體管沒有采用一般功率MOSFET晶體管在封裝中經(jīng)常采用的鍵合引線連接方法,而是直接將硅芯片連接在銅引線框架上,使連接引線的數(shù)目加倍并使引線框架直接和芯片相連接。這樣一來既改進了晶體管的熱性能又增加了封裝上可以用來安裝芯片的面積。 ----在EDA軟件方面,OrCad公司（位于美國奧勒岡州的Beaver）在互聯(lián)網(wǎng)上設立稱為activeparts.com的網(wǎng)址,聯(lián)機免費提供零部件產品樣本（參看本刊去年第10期,P7）。用戶可以使用線路圖輸入工具從提供的零部件產品樣本中（樣本中包括的零部件超過500000種）選擇零部件,并直接將它們下載到自己的設計中去。 |
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