| 功率半導(dǎo)體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)推出高效、低成本強化集成開關(guān)IRIS系列,將HEXFET功率MOSFET與控制集成電路結(jié)合在單一封裝內(nèi),可簡化電路設(shè)計,減少了印制電路板尺寸及25%的元件數(shù)目。與交流-直流開關(guān)電源的分立電路相比,效率相同,甚至更佳。 全新IRIS集成開關(guān)系列將一個低損耗全部雪崩能量HEXFET功率MOSFET與一個雙電壓及電流控制集成電路結(jié)合在單一封裝內(nèi),適用于通用輸入及單輸入60W至180W開關(guān)電源的反激變換技術(shù)。 對于批量生產(chǎn)的消費電子產(chǎn)品,新器件可簡化設(shè)計,降低成本,縮減尺寸并減輕重量。由于簡化了功率轉(zhuǎn)換電路,顯示器、DVD機、傳真機、打印機及機頂盒等產(chǎn)品可以設(shè)計得更平滑、更精簡。 IR利用超絕緣材料的貼膜芯片工藝(專利尚待通過),進一步降低集成開關(guān)封裝的雜散電感,同樣大小的封裝內(nèi)組裝更大的MOSFET晶片,從而提高效率及功率級。IR嶄新的貼膜芯片工藝還可簡化器件組裝步驟,使得以這些器件制成的開關(guān)電源比分立方案更具成本競爭力。新技術(shù)還通過了超出業(yè)界標(biāo)準的溫度壽命測試。 IRIS系列集成開關(guān)可在準諧振或脈寬調(diào)制模式下工作。在準諧振模式下,開關(guān)在漏極電壓到達最低振蕩點時才起作用,以便降低開關(guān)損耗,從而在高負荷狀態(tài)下提高整體效率。脈沖比控制模式則更適用于需要小電流休眠模式的應(yīng)用。工作中器件在這兩種模式間轉(zhuǎn)換,以達到更高效率及降低開關(guān)損耗。 為支持更為靈活并耐用的設(shè)計,全新IRIS系列器件具有過電壓保護、過溫保護及可變過電流保護功能。另外,這些器件還具有耐用的全部雪崩能量HEXFET功率MOSFET。 |
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