| 根據(jù)學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界研究中心最近的報(bào)道,解決磁性材料的理論密度極限（即所謂的超順磁性界限）工作,近來(lái)在幾個(gè)方向取得了進(jìn)展。IBM公司（位于加州的San Jose）公布了一項(xiàng)研究成果,聲稱(chēng)可以制成3原子厚的釕材料層,并且非正式地稱(chēng)呼此薄釕層為“塵埃小精靈 ( pixie dust ) ”。釕（Ru）是性質(zhì)類(lèi)似鉑的元素。可以將此釕層夾作在兩層磁性材料之間,形成可以記錄數(shù)據(jù)的媒體。 這一極薄的釕層,可以強(qiáng)迫兩邊相鄰的磁性材料層,按照和自己的磁性方向相反的方向排列。由于媒體總厚度非常薄的關(guān)系,在此釕層內(nèi)可以非常容易地寫(xiě)入尺寸非常小,密度極高的數(shù)據(jù)位數(shù),并且可以維持磁性不變。 這種新型的多層覆蓋材料,在技術(shù)上可被認(rèn)為是一種抗鐵磁性耦合媒質(zhì);如果使用它制造硬盤(pán),數(shù)據(jù)儲(chǔ)存密度可以達(dá)到100 Gbits/in.2,并且預(yù)計(jì)可以在2003年以前實(shí)現(xiàn)。 另外在學(xué)術(shù)界,霍浦金斯大學(xué)（位于馬里蘭州的Baltimore）報(bào)道了一項(xiàng)新技術(shù),他們稱(chēng)之為磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器MRAM ( magnetic random access memory )。 此項(xiàng)新技術(shù)描述了一種工作機(jī)制,即利用一種磁性隧道結(jié);這個(gè)隧道結(jié),可以像電容在DRAM中所起到的作用一樣,防止數(shù)據(jù)在動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中丟失。 通過(guò)控制磁性隧道結(jié)中兩塊電極板之間的磁性方向,MRAM技術(shù)可能最終形成一代新型的非易失性的存儲(chǔ)系統(tǒng)。在這個(gè)領(lǐng)域的研究工作,目前集中研究半金屬鐵磁材料二氧化鉻的性質(zhì),和如何處理材料中電子自旋與電子電荷問(wèn)題。 控制住電子的自旋,也就是說(shuō)可以控制材料的磁性能了。使材料能夠以一種有規(guī)則的方式代表存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位。這樣代表的數(shù)據(jù),即使在去除掉電源供電以后,仍然能夠?qū)?shù)據(jù)保持住。這項(xiàng)研究成果,還有助于改進(jìn)磁傳感器的性能。 另外,Keele大學(xué)（位于英國(guó)的Staffordshire）的研究人員還提出了一項(xiàng)發(fā)明,并且由Keele High Density公司（位于英國(guó)的倫敦）予以商品化,并推向市場(chǎng)。這項(xiàng)發(fā)明包括兩部分,即數(shù)據(jù)壓縮與處理的算法;和一種混合型固態(tài)存儲(chǔ)器件（即硅/磁光存儲(chǔ)器的混合型器件）的開(kāi)發(fā)。據(jù)稱(chēng)。此種固態(tài)存儲(chǔ)器,只需有信用卡的三分之一大小的表面積,就可以達(dá)到10.8 Tbytes的容量。 據(jù)說(shuō),如果采用Keele High Density公司的數(shù)據(jù)壓縮技術(shù),就可以作出非常高容量,非常寬的帶寬,非�？齑嫒∷俣鹊漠a(chǎn)品。這些產(chǎn)品在2003年前可以上市,如果要想進(jìn)一步從IBM公司了解情況,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：http;//www.ibm.com。如果想進(jìn)一步從Keele High Density公司了解情況,請(qǐng)通過(guò)電子郵箱mcd@cmruk.com和Mike Downey先生聯(lián)系,或者訪問(wèn)網(wǎng)址：http://www.cmruk.com/cmrKHD.html。如果想進(jìn)一步了解約翰霍浦金斯大學(xué)的研究計(jì)劃,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)網(wǎng)址：http://www.pha.jhu.edu/groups/mrsec/02/index.html。 |
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