位于美國加州Sunnyvale的Philips半導(dǎo)體公司是皇家Philips電子公司的一個分部,它所推出的第三代TrenchMOS（深槽MOS）工藝技術(shù),可以將以MOSFET為基礎(chǔ)的電路單元的尺寸進一步縮小。這項工藝技術(shù)是針對奔騰4甚至更新一代微處理器的技術(shù)要求而開發(fā)的。采用此項工藝技術(shù)以后,器件的單元密度可以達到50M單元/平方英寸。
此項工藝可以制成200V以下的MOS器件,可以廣泛應(yīng)用于dc/dc變換器,電壓調(diào)節(jié)器,和syncFET等器件之中�，F(xiàn)在推出的產(chǎn)品是屬于這類器件中25到30V這一檔的器件。
第三代工藝技術(shù)的特點包括：低阻的特殊導(dǎo)電層,方塊電阻可達22mΩ/mm2-比現(xiàn)在一代工藝制成的電阻低40%。亞微米的槽寬降低了柵漏電容,減少了柵極電荷,從而可以使器件的耐用性提高20%。
當(dāng)在未嵌位條件下進行感式能量交換時,如果脈沖持續(xù)時間不超過0.1ms,峰值功率可達1kW/mm2。此外,第四代的工藝技術(shù)也正在開發(fā)之中,至于第五代工藝技術(shù)則已經(jīng)列入了計劃。如果希望了解更多的情況,請訪問以下網(wǎng)址：http://www.semiconductors.philips.com。
----Christina Nickolas/王正華譯 |
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