Intel公司（位于加州的Santa Clara）的研究人員開(kāi)發(fā)成功一種可以在數(shù)太赫頻率運(yùn)行的新型晶體管。根據(jù)該公司介紹,這種太赫晶體管（被命名為TeraHerz 晶體管）,預(yù)計(jì)可以將現(xiàn)有處理器的集成度提高25倍,運(yùn)行速度提高10倍,但是整個(gè)處理器的功率消耗可以保持不變,不須增加。
預(yù)計(jì)這種類型的新型晶體管將在本年代的后半期應(yīng)用在處理器和邏輯線路中。這些器件將證明Moore定律繼續(xù)有效,可以使處理器晶體管數(shù)目的增長(zhǎng)速度繼續(xù)維持每一年半到兩年內(nèi)翻一番。此種晶體管的開(kāi)發(fā)成功,應(yīng)歸功于消耗功率的降低;因?yàn)槿绻酒牡墓β试黾舆^(guò)大,可能使芯片很快過(guò)熱而變得不可靠,也會(huì)使電源很快耗盡。這項(xiàng)開(kāi)發(fā)成果,將應(yīng)用于現(xiàn)場(chǎng)語(yǔ)音識(shí)別與翻譯;現(xiàn)場(chǎng)面容識(shí)別;以及圖像潤(rùn)色。這些應(yīng)用都要求處理器具有比現(xiàn)在可能具有的更多、更快的晶體管。
總的說(shuō)來(lái),TeraHertz晶體管與現(xiàn)有的晶體管相比,具有以下的新特點(diǎn)：
● 一層取代現(xiàn)有二氧化硅層的“高 k ”柵極絕緣介質(zhì)。由于新采用的絕緣介質(zhì)層可以允許做得更薄,器件因而可以做得更小,并且可以抑制不希望產(chǎn)生的漏電電流,使之降低10 000倍。
● 在晶體管下面增加一層絕緣氧化層,可以在晶體管截止時(shí)減少源與漏之間的不希望存在的電流。使之降低100倍。
● 增加了源與漏層的厚度,使電阻降低30%,并降低了功率消耗。
其他的優(yōu)點(diǎn)還有：降低了結(jié)電容;提高了對(duì)于 a 粒子的防御能力,提高了可靠性;消除了內(nèi)部陷阱俘獲的電荷,使得線路設(shè)計(jì)更為簡(jiǎn)單等等。如果希望了解更多信息,請(qǐng)和Intel 公司的Kevin Teixeira聯(lián)系,電話號(hào)碼為;001-408-765-4512;或者請(qǐng)?jiān)L問(wèn)網(wǎng)址;http://www.intel.com/research/silicon。
----David Suchmann/王正華譯 |
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