| Mosaid Technologies公司（位于加拿大安大略省的Otawa）成功地開發(fā)了一種新型的網(wǎng)絡(luò)搜尋引擎,該引擎采用了高性能的三進制的CAM存儲器。此項CAM存儲器又是在DRAM技術(shù)的基礎(chǔ)上開發(fā)的。該公司的IC級嵌入式DRAM工藝技術(shù),結(jié)合了邏輯線路工藝和DRAM工藝技術(shù)形成了一項統(tǒng)一的新工藝。它采用的以DRAM技術(shù)為基礎(chǔ)的三進制CAM存儲單元,是當前產(chǎn)業(yè)界面積最小的三進制CAM存儲單元。此項9M位的CAM存儲器是為OC-12到OC-768的數(shù)據(jù)包在傳輸中的分類和前向路由應(yīng)用而開發(fā)的,適合提供網(wǎng)絡(luò)路由設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)交換設(shè)備的供應(yīng)廠商采用。
 目前此種DRAM CAM存儲器是利用Fujitsu（富士通）公司的0.18μm嵌入式DRAM工藝制造的。每一個單元只有5.6平方微米。與每個單元需要16個晶體管的SRAM CAM相比,DRAM CAM單元只需要6個晶體管要少得多。整個器件所消耗的功率也減少許多,減少到了7 W。這些器件還具有自動更新查詢表內(nèi)容,自動學習的功能;這些器件還具有能夠按照優(yōu)先權(quán)的前后提供匹配的路由項目,此外,這些器件對于軟誤差（即由于背景輻射引起的門翻轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的誤差）的抗御能力也比較強。
存儲器中軟誤差出現(xiàn)的幾率越來越多地受到人們的重視,尤其是當供電電壓顯著地降低以后更是受到關(guān)注。如果軟誤差存留在那里沒有得到糾正,系統(tǒng)中就可能發(fā)生許多隱藏的失誤,例如信息流就有可能被傳送到錯誤的地址。
而DRAM存儲器與SRAM存儲器相比,DRAM從器件本質(zhì)上不太容易受到軟誤差的影響。因為在DRAM內(nèi)僅僅存儲‘1’;而SRAM則必須存儲‘1’和‘0’;很明顯沒有存放的數(shù)據(jù)當然不會丟失。
每一個此種DRAM CAM器件可以存儲多達64 000條144位的項目,并且可以達到1億次每秒的搜尋速度。無需采用邏輯連接電路,就可以將16個器件連接起來,組成1百萬條144位項目的查詢表,并且可以保持查詢的速度不降低。如果希望進一步了解情況,請和Mosaid Technologies公司的Romain Saha聯(lián)系。電話號碼為：001-613-599-9539;電子郵件的地址為：saha@mosaid.com;公司的網(wǎng)址為：http://www.mosaidsemiconductor.com。
-----David Suchmann/王正華譯 |
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