| 加州大學(xué)工程學(xué)院和洛克衛(wèi)爾科學(xué)研發(fā)公司的工程師開發(fā)了一種液體噴射冷卻技術(shù),這個技術(shù)能使LD-MOSFET晶體管和IGBT等小型電子器件獲得更高的功率輸出和效率。這項(xiàng)稱為微噴射的技術(shù)與液體沉浸或強(qiáng)制對流等普通冷卻技術(shù)相比,可以把輸出功率從66W提高到84W,把功率增加效率提高34%。 
雖然噴射冷卻目前已被用于較大的元件和整塊電路板,但這項(xiàng)新技術(shù)首次把噴射冷卻用于獨(dú)立的芯片。研究人員以每分鐘0.14升的速度把水從由28個水平孔和18個垂直孔組成的4.86mm×1.53mm的噴嘴噴射到500W功率放大器的芯片上,通過對流和蒸發(fā)給系統(tǒng)散熱。
測試表明,在23W輸入功率時,沒有采用噴射冷卻的LD-MOSFET開始出現(xiàn)問題,輸出功率從72W迅速下降到65W。而采用噴射冷卻的晶體管在34W輸入功率時達(dá)到84W輸出功率。
研究人員認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)最適合雷達(dá)設(shè)備、飛機(jī)和電動機(jī)等溫度很有可能上升到150℃的極端環(huán)境。研究人員還計劃用比LD-MOSFET發(fā)熱更高的寬帶隙半導(dǎo)體做實(shí)驗(yàn)。有關(guān)噴射冷卻的進(jìn)一步信息,請洽加州大學(xué)媒體關(guān)系部David Brown,電話：310-206-0540,電子郵件：dbrown@ea.ucla.edu,或訪問http://www.uclanews.ucla.edu。
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