| 北京-安捷倫科技（Agilent Technologies, 紐約證券交易所上市代號(hào)：A）日前宣布,它最新推出的E-pHEMT功放器 (PA) 模塊現(xiàn)在每月下線的數(shù)量已經(jīng)突破50萬大關(guān)。預(yù)計(jì)到2003年9月,安捷倫每月下線的模塊數(shù)量將達(dá)到200-300萬只。 安捷倫科技公司半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)部大中國區(qū)總經(jīng)理趙子澤先生表示：“我們新推出的E-pHEMT 功放模塊可以幫助移動(dòng)電話制造商以極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格更好地吸引用戶,因而得到了廣大客戶的廣泛認(rèn)可。安捷倫提供的功放模塊之所以表現(xiàn)卓越,是因?yàn)樗鼡碛袠I(yè)內(nèi)最優(yōu)秀的功率加效率(PAE)。這使得廣大客戶能夠在保持電池工作時(shí)間不變的同時(shí)增加更多的功能,或提供電池工作時(shí)間長(zhǎng)得多的手機(jī)�！� 已有六款支持CDMA和GSM空中接口的移動(dòng)終端平臺(tái)設(shè)計(jì)中采用了安捷倫E-pHEMT功放模塊,其中包括一家位居三甲的GSM手機(jī)廠商生產(chǎn)的一款手機(jī)。 為滿足廣大客戶對(duì)高效功放模塊和其它E-pHEMT產(chǎn)品的需求,安捷倫正在科羅拉多州Ft. Collins建立最新的六英寸晶片生產(chǎn)廠。該生產(chǎn)廠具有大批量生產(chǎn)能力,并利用尖端的CMOS統(tǒng)計(jì)工藝控制技術(shù),優(yōu)化高級(jí)模擬/混合信號(hào)器件的性能。 安捷倫新推出的三款E-pHEMT功放模塊中,有兩款適用于CDMA/AMPS手機(jī),一款適用于GSM手機(jī)。這些功放模塊提供了業(yè)內(nèi)最佳的功率加效率(PAE),使制造商能夠把手機(jī)電池的工作時(shí)間延長(zhǎng)15%。在當(dāng)前的多功能手機(jī)中,電池工作時(shí)間是一個(gè)關(guān)鍵的性能指標(biāo)。 在兩款CDMA模塊中,ACPM-7813適用于800 MHz雙頻手機(jī),ACPM-7833則適合于1900 MHz (PCS)頻段中的手機(jī)和無線數(shù)據(jù)終端應(yīng)用。CDMA模塊提供了業(yè)內(nèi)最佳的40%的額定PAE,其采用的E-pHEMT技術(shù)僅要求一個(gè)正極電源。ACPM-7891功放模塊是面向三頻GSM/GPRS手機(jī)開發(fā)的。它在GSM頻段中,可實(shí)現(xiàn)高達(dá)60%的PAE;而在DCS和PCS頻段中,則可以實(shí)現(xiàn)56%的PAE。 安捷倫科技為對(duì)成本敏感的無線通信設(shè)施應(yīng)用推出高線性度、增強(qiáng)模式PHEMT FET 單工作電壓操作、信噪比為0.5 dB、增益為16.5 dB、OIP3為30.5 dBm,保證了杰出的前端LNA性能 安捷倫科技日前還宣布推出一款高線性度E-pHEMT (增強(qiáng)模式偽單色高電子遷移晶體管)場(chǎng)效應(yīng)管 (FET)。它適用于對(duì)成本敏感的、工作頻率在450 MHz和6 GHz之間的無線通信設(shè)施,以實(shí)現(xiàn)低噪聲和高動(dòng)態(tài)范圍的操作。 在3V、30 mA和2 GHz時(shí),安捷倫單電壓的E-pHEMT FET（ATF-58143）的噪聲系數(shù)為0.5 dB,伴隨增益為 +16.5 dB,OIP3 (三階輸出互擾點(diǎn))為 +30.5 dBm,線性輸出功率(1 dB增益壓縮)則為 +16.5 dBm。它特別適用于工作頻率范圍在450 MHz和6 GHz之間的蜂窩/PCS/WCDMA基站、無線本地環(huán)路、固定無線接入和其它高性能應(yīng)用中的第一階和第二階前端LNA。ATF-58143在3V電壓下,OIP3可實(shí)現(xiàn)30.5 dBm的高線性度,而其功耗僅為30 mA。這就大大降低了在當(dāng)前緊湊型設(shè)備的設(shè)計(jì)中熱量的產(chǎn)生。單電壓操作還消除了電壓逆電電路或雙電壓補(bǔ)給。 目前,安捷倫仍是業(yè)內(nèi)唯一提供單電壓操作的E-pHEMT產(chǎn)品的廠商。單電壓操作的方式,大大簡(jiǎn)化了供電補(bǔ)給的設(shè)計(jì)。單一的3V供電電壓使得安捷倫這款新型E-pHEMT FET成為取代單電壓HBT (異質(zhì)結(jié)雙極晶體管) 和傳統(tǒng)的雙電壓PHEMT及GaAs HFET (異質(zhì)結(jié)構(gòu)FET) 的首選產(chǎn)品。 ATF-58143 E-pHEMT FET采用微型2.0 x 2.1 mm SOT-343封裝。 | 
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