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高功率半導體開關為電柵極提供支持
高功率半導體開關為電柵極提供支持
 更新時間:2008-8-17 20:16:39  點擊數(shù):5
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Virginia Tech公司(位于美國弗吉尼亞州Blacksburg)的研究人員開發(fā)成功一種能夠在傳輸和分配柵極中提供可靠電壓支持的高功率半導體開關。一種被稱為發(fā)射極關斷晶閘管(ETO)的柵極關斷晶閘管(GTO)與IGBT的三端子混合器件不僅使功率變換器的尺寸、重量和成本均有所下降,而且還有望將傳輸柵極的質(zhì)量和容量提高25%~60%。
這種開關能夠承受16MW的瞬間功率,并能促使線路速度從60Hz到1~3kHz不等的極高功率變換器以相同的功率電平進行開關操作。迄今為止,材料方面的局限性以及器件昂貴的價格一直限制著功率電子器件在通用柵極中的廣泛使用。
ETO采用幾乎無電阻的光脈沖接通電流。當開關閉合時,它能夠傳導10000A的電流。在連續(xù)工作條件下,當溫度保持在低于125℃時,傳導電流在1500A的范圍內(nèi)。當光脈沖被除去且ETO開關斷開時,它能夠阻塞高達6000V的電壓。開關從接通到關斷以及從關斷到接通的時間為5μs。
已開始實施該產(chǎn)品的商品化的Solitronics公司(位于美國弗吉尼亞州Blacksburg)已經(jīng)從Virginia Tech Intellectual Properties公司獲得了該項產(chǎn)品的生產(chǎn)許可,還有幾項專利正待審批。樣品計劃于今年年底推出。如欲獲得更多的信息,請致電或發(fā)送電子郵件與Virginia Tech公司的Alex Q. Huang教授聯(lián)系,電子信箱:huang@vt.edu。

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