| TaNFilm薄膜技術(shù)采用自鈍化氮化鉭,能制造在高溫下具有長(zhǎng)期穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性的電阻元件。美國(guó)TT電子公司IRC先進(jìn)薄膜分公司開發(fā)的這項(xiàng)技術(shù)可以制造在電信、航天和聯(lián)網(wǎng)等微波應(yīng)用中性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其他鈍化膜技術(shù)的薄膜電路和混合襯底。  | | 圖7 TaNFilm薄膜技術(shù)制造適于微波頻率的電阻元件 | 防潮的氮化鉭解決了標(biāo)準(zhǔn)鎳鉻鐵合金技術(shù)存在的腐蝕問題。該技術(shù)能制造表面電阻在5～100Ω/sq之間的電阻元件。
電阻熱系數(shù)在±10×10-6/℃,這種材料在70℃下的導(dǎo)熱率為34.7Ω/m°K。該公司采用先進(jìn)的光刻和等離子蝕刻工藝,能制作有鍍層的孔、邊緣終端和19μm的導(dǎo)體軌跡與間隙。
薄膜提供±0.015%的電阻容許偏差和±0.005%的比率容許偏差。薄膜襯底厚度有15、20和25mil等幾種,電介質(zhì)強(qiáng)度200V/μm。
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