優(yōu)化的LFPAK封裝MOSFET具有接近于零的封裝電阻和低熱阻,
電性能極好,所需元件數(shù)量更少皇家飛利浦電子集團擴展其功率MOSFET產(chǎn)品系列,推出創(chuàng)新性的SOT669無損封裝（LFPAK）。新LFPAK器件針對DC/DC轉(zhuǎn)換器應用而設計,具有體積更小、效率更高、性能更加優(yōu)化等特點,可用于眾多新應用,如筆記本電腦、臺式機、服務器、高頻應用等。
飛利浦的LFPAK封裝MOSFET主要特點有接近于零的封裝電阻和主板連接低熱阻,以增強功率功能。MOSFET還具有低封裝電感,從而提高了開關速度,使飛利浦LFPAK封裝的MOSFET產(chǎn)品特別適用于企業(yè)計算等高頻應用。
小體積與卓越的熱性能使功率損失降到最低,以幫助要求盡量減小產(chǎn)品體積的制造商能夠開發(fā)體積更小、效率更高的設計,同時減少元件的數(shù)量。
亞洲的工程師正在持續(xù)地努力提高高功率密度應用中的功率性能,如筆記本電腦和DC/DC轉(zhuǎn)換器,使對功率密度要求很高的應用能夠體積更小化。亞洲是這些應用產(chǎn)品的主要生產(chǎn)地之一。飛利浦的LFPAK封裝MOSFET滿足了這些要求,不但性能比SO8封裝好,同時維持引腳不變。SOT669 LFPAK專門針對功率封裝設計,不同于專門為開關而設計的SO8封裝。
飛利浦半導體LFPAK產(chǎn)品的國際產(chǎn)品營銷經(jīng)理Jim Jordan說：“隨著設備對功率要求不斷提高,由于產(chǎn)品需要小型化,主板的空間非常有限。這就需要體積更小、效率更高的功率封裝。”
“有了新的LFPAK封裝MOSFET,我們能夠滿足亞洲生產(chǎn)商對尺寸、功率管理的要求,使他們能夠開發(fā)體積更小、效率更高的產(chǎn)品,同時運行溫度比其他同類產(chǎn)品要低得多。”
通過結(jié)合更大功率封裝突出的熱性能與降低了40%只有1.1mm的厚度,新推出的LFPAK封裝MOSFET具有封裝尺寸小和優(yōu)化的功率性能。在某些情況下,設計師們能夠減少應用所需的功率封裝數(shù),從三個SO8封裝減少到兩個LFPAK。
對傳統(tǒng)的功率封裝而言,最主要的熱路徑一般是從封裝底部下行,進入印刷電路板。LFPAK還從封裝的頂部分散熱量,相對SO8來說,優(yōu)化了散熱性能,并提供更優(yōu)越的熱阻。LFPAK MOSFET的電感值比SO8的要低50%,從而加快了開關速度。LFPAK封裝MOSFET還使電源的功率轉(zhuǎn)換到應用更加有效,從而延長電池或電源的壽命。
除了提供優(yōu)化的電源性能外,飛利浦的LFPAK封裝MOSFET的熱性能使散熱特別容易,從而保持運行所需最低的溫度,這對于象筆記本電腦等應用來說是非常重要的性能,因為在這些應用中,運行溫度對整體性能非常關鍵。
供貨情況
LFPAK封裝的MOSFET目前已可接受1萬臺數(shù)量的定貨。 |
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