日前,皇家飛利浦電子集團(tuán)推出最新四頻帶GSM功率放大器模塊BGY284。該產(chǎn)品安裝面積僅為8 × 8mm,安裝高度為1.5mm,具有全集成功率控制環(huán),是高成本效益的四頻帶功率放大器。BGY284結(jié)合了InGaP砷化鎵、硅BiCMOS（飛利浦QuBiC4）、無(wú)源元件集成（飛利浦PASSITM）技術(shù)以最大限度提高電路性能。
這個(gè)高度集成的功率放大器與GSM/GPRS-Class 12和EDGE等應(yīng)用完全兼容,使功率放大率超過(guò)55%。該產(chǎn)品的低成本、超小體積和四頻帶（850/900/1800/1900MHz）等特性使手機(jī)制造商在為全球GSM市場(chǎng)開(kāi)發(fā)更小、更輕的手機(jī)產(chǎn)品時(shí)擁有非常大的自由。
飛利浦半導(dǎo)體公司射頻功率放大器產(chǎn)品部市場(chǎng)營(yíng)銷經(jīng)理Robbert van der Waal說(shuō)：“由于BGY284的安裝面積很小,而且具有一個(gè)集成的功率控制環(huán),廠商可以節(jié)約多達(dá)30%的印刷電路板空間和30%的外部組件�！�
使諸如BGY284等高度集成的智能功率放大器產(chǎn)品具有如此卓越性能的關(guān)鍵因素,是飛利浦公司所具有的功率放大器模塊設(shè)計(jì)方法。功率放大器內(nèi)的每一項(xiàng)功能使用的都是精挑細(xì)選的技術(shù),在確保優(yōu)化性能的同時(shí),通過(guò)層壓襯底降低成本。為達(dá)到高的功率放大率、線性度和擊穿電壓,BGY284在高功率級(jí)采用InGaP砷化鎵HBT,并由飛利浦最新BiCMOS工藝（QUBiC4）集成的低功率RF驅(qū)動(dòng)器和功率控制電路驅(qū)動(dòng)。
主要的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)使用飛利浦獨(dú)特的PASSITM技術(shù)設(shè)計(jì)而成,使組件數(shù)量減少,無(wú)源器件更加精確。該技術(shù)以大批量芯片處理為基礎(chǔ),無(wú)需使用昂貴的陶瓷基片。由于組件使用恰到好處,使用PASSITM技術(shù)生產(chǎn)出來(lái)的射頻匹配網(wǎng)絡(luò),較之采用傳統(tǒng)的基底材料生產(chǎn)出來(lái)的產(chǎn)品,性能更加優(yōu)越,同時(shí)還能使整個(gè)功率放大器模塊能夠安放在一個(gè)低成本的薄板上。
獨(dú)特的結(jié)構(gòu)、豐富的性能配置、最少的設(shè)計(jì)要求使BGY284成為成本效益最高、功率消耗最低、組件數(shù)最少的手機(jī)功率放大器。 |
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