| 美國國家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation) (美國紐約證券交易所上市代號：NSM)宣布推出業(yè)內(nèi)首款雙輸出閘極驅(qū)動器,其特點(diǎn)是可輸出業(yè)內(nèi)最高峰值電流,而且具有獨(dú)特的負(fù)極至正極輸出電壓擺動功能。這款 5A 峰值電流的雙輸出閘極驅(qū)動器能以極快的速度進(jìn)行開關(guān),升/降時(shí)間只需 14 毫微秒 (ns),而傳輸延遲則只有 25 毫微秒,并備有反相、非反相及互補(bǔ)三種不同版本可供選擇。此外,這款雙輸出驅(qū)動器芯片可以驅(qū)動較大的功率金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 及低閾值同步整流器,最適用于通信設(shè)備的電源供應(yīng)器、運(yùn)轉(zhuǎn)控制系統(tǒng)及不間斷電源供應(yīng) (UPS) 系統(tǒng)。 美國國家半導(dǎo)體新推出的 LM5110 雙輸出閘極驅(qū)動器芯片屬于該公司高電壓電源控制集成電路系列的最新型號,可為直流/直流電源供應(yīng)器提供一個高效率而性能可靠的解決方案。 美國國家半導(dǎo)體電源管理產(chǎn)品部市場營銷總監(jiān) Paul Greenland 表示：「LM5110 芯片的推出擴(kuò)大了我們的高電壓電源管理芯片系列的產(chǎn)品陣容,加強(qiáng)了這系列芯片在通信產(chǎn)品市場上的競爭優(yōu)勢。LM5110 芯片設(shè)有 MOSFET/雙極雙輸出電路,容許滿擺幅的電壓擺動,而輸出電流更比同類競爭產(chǎn)品如 CMOS 雙輸出閘極驅(qū)動器高 3 倍至 4 倍。LM5110 芯片若與我們的 LM5041 或 LM5030 高電壓脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 控制器搭配一起,便可組成一個極具成本效益的高速脈沖寬度調(diào)制及場效應(yīng)晶體管 (FET) 驅(qū)動器芯片組解決方案,為高電流、低電壓輸出的新一代功率轉(zhuǎn)換器提供支持�！� LM5110 芯片是業(yè)內(nèi)首款可為不同目標(biāo)分別供電的 MOSFET 驅(qū)動器,可將閘極電平拉低至源極電平之下,以便低閾值 MOSFET 可以保持在關(guān)閉 (OFF) 狀態(tài)之中,讓工程師有較大的空間設(shè)定漏極至閘極的瞬態(tài)及閾值移位。對于只提供正閘極驅(qū)動電流的傳統(tǒng)式單電源供應(yīng)解決方案來說,LM5110 芯片的輸入?yún)⒖茧妷汗苣_可干脆連接地線。這款驅(qū)動器可在 3.5V 至 14V 的廣闊供電電壓范圍內(nèi)操作,而且更設(shè)有高度集成的線路電壓不足鎖定 (UVLO) 電路,以便電源進(jìn)行開關(guān)或供電線路出現(xiàn)瞬態(tài)轉(zhuǎn)變時(shí)仍可安全操作,不會有意外的情況出現(xiàn)。 LM5110 芯片利用業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)雙輸出驅(qū)動器的兩條未用管腳添加多個重要的全新功能,以便在 5A 峰值輸出電流這個獨(dú)特功能之外,添加關(guān)閉管腳及負(fù)極輸出驅(qū)動功能,確保在任何情況下也可有效控制功率 MOSFET。LM5110 雙輸出驅(qū)動器也可采用并行的連接方式串連一起,以便將輸出電流加大一倍,為要求更高的應(yīng)用方案提供高達(dá) 10A 的峰值電流。 LM5110 芯片采用散熱能力已加強(qiáng)的小巧 10 管腳 LLP? CSP 封裝 (4mm x 4mm),除了散熱能力獲得改善之外,也占用極少印刷電路板空間,有助提高操作的可靠性及節(jié)省成本。LM5110 備有三種不同配置可供選擇：雙輸出非反相 (-1);雙輸出反相 (-2);以及設(shè)有反相級與非反相級的配置 (-3)。這款芯片保證可在 -40°C 至 +125°C 的工業(yè)溫度范圍內(nèi)發(fā)揮正常的電子特性。 供貨情況 LM5110 芯片備有 SOIC-8 或 10 管腳表面貼裝 LLP CSP 兩種封裝可供選擇,采購以 1,000 顆為單位,每顆售 0.65 美元,已有現(xiàn)貨供應(yīng)。
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