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　　中芯國際集成電路制造有限公司宣布已經(jīng)成功開發(fā)基于0.35微米可擦寫存儲器的非接觸性智能卡技術。這項技術的特色是可有效縮小非接觸性智能卡的芯片面積最多達百分之五十。
　　歸功于最近開發(fā)出的高壓P溝道MOS場效應晶體管和金屬-絕緣體-金屬電容 (MIM capacitors),使這個新制程技術可以使智能卡芯片面積更小,功能更強大。該新技術的應用廣泛,包括可接觸和非接觸的智能卡,如交通卡,身分證,銀行卡等。
　　中芯的客戶中已經(jīng)有數(shù)家成功的運用這一非接觸性智能卡技術生產(chǎn)出合格產(chǎn)品。
　　“從市場規(guī)模及可預期的各種應用來看,尤其是對于中國市場,這是一個具有重大意義的關鍵技術�！敝行緡�際存儲器技術發(fā)展中心副總裁李若加先生說, “目前我們正致力于開發(fā)0.18微米可擦寫存儲器技術,以協(xié)助客戶不斷提升競爭力�！�
　　中芯國際存儲器技術發(fā)展中心負責開發(fā)各種動態(tài)隨機存儲器,快閃存儲器,嵌入式快閃存儲器,先進的可擦寫存儲器智能卡,液晶顯示器高壓驅動芯片,LCOS顯示器芯片,以及CMOS圖像傳感器等。