圖2 低噪聲放大器線路圖
圖3 采用吉爾布特乘法單元的混頻電路
CMOS射頻IC電路設(shè)計(jì)
采用直接轉(zhuǎn)換的CMOS射頻IC主要有低噪聲放大器、混頻電路、功率驅(qū)動電路和頻率綜合電路等射頻單元組成。在射頻領(lǐng)域，我們更多注意的是功率傳輸和放大，其中低噪聲放大器的電路圖如圖2所示。
它的核心技術(shù)是輸入阻抗匹配和輸出負(fù)載的設(shè)計(jì)，片上電感作為負(fù)載可以獲得較高的增益和頻率特性，為了抑制共模電平，差分結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器也經(jīng)常采用。國內(nèi)已有CMOS混頻器報(bào)導(dǎo)采用吉爾布特乘法單元的混頻電路如圖3所示，混頻器的性能主要是線性度，在提高線性度方面，目前有人采用電感負(fù)載和共源極電流耦合輸入。功率驅(qū)動電路一般會采用二級功率放大的電路(如圖4所示)，為了滿足不同射頻系統(tǒng)的需要和保證輸出功率，功率驅(qū)動電路需要考慮增益控制電路和封裝、連線及引腳的分布參數(shù)。為了得到低噪聲時(shí)鐘和低相位噪聲的正交信號，采用片上電感和變?nèi)荻䴓O管的LC信頻壓控器(VCO)(如圖5)及二分頻正交信號產(chǎn)生器是一種好的選擇。
采用倍頻VCO可以減少射頻信號對VCO的牽引和VCO對信號的泄漏。Sigma-Delta分?jǐn)?shù)分頻能夠進(jìn)一步降低VCO的相位噪聲。
