鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。 相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM(static random access memory)和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM(dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)。 RAM 類型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好，可是它們同樣會(huì)在掉電的情況下會(huì)失去所保存的數(shù)據(jù)。 非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于只讀存儲(chǔ)器(ROM)技術(shù)。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲(chǔ)器的東西肯定不容易進(jìn)行寫入操作，而事實(shí)上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲(chǔ)器則都具有寫入信息困難的特點(diǎn)。這些技術(shù)包括有EPROM(幾乎已經(jīng)廢止)、EEPROM和Flash。 這些存儲(chǔ)器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時(shí)功耗大。 鐵電存儲(chǔ)器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM。 當(dāng)一個(gè)電場被加到鐵電晶體時(shí)，中心原子順著電場的方向在晶體里移動(dòng)。當(dāng)原子移動(dòng)時(shí)，它通過一個(gè)能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置存儲(chǔ)器。移去電場后，中心原子保持不動(dòng)，存儲(chǔ)器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲(chǔ)器不需要定時(shí)更新，掉電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存，速度快而且不容易寫壞。 鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置于CMOS基層之上，并置于兩電極之間，使用金屬互連并鈍化后完成鐵電制造過程。 Ramtron 公司的鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)到現(xiàn)在已經(jīng)相當(dāng)?shù)某墒臁Ｗ畛醯蔫F電存儲(chǔ)器采用兩晶體管/兩電容器(2T/2C)的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致元件體積相對(duì)過大。最近隨著鐵電材料和制造工藝的發(fā)展，在鐵電存儲(chǔ)器的每一單元內(nèi)都不再需要配置標(biāo)準(zhǔn)電容器。Ramtron新的單晶體管/單電容器結(jié)構(gòu)可以像DRAM一樣，使用單電容器為存儲(chǔ)器陣列的每一列提供參考。與現(xiàn)有的2T/2C結(jié)構(gòu)相比，它有效的把內(nèi)存單元所需要的面積減少一半。新的設(shè)計(jì)極大的提高了鐵電存儲(chǔ)器的效率，降低了鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。 Ramtron公司同樣也通過轉(zhuǎn)向更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)來提高鐵電存儲(chǔ)器各單元的成本效率。最近采用的0.35微米的制造工藝相對(duì)于前一代0.5微米的制造工藝，極大的降低了芯片的功耗，提高了單個(gè)晶元的利用率。 所有這些令人振奮發(fā)展使鐵電存儲(chǔ)器在人們?nèi)粘Ｉ畹母鱾�(gè)領(lǐng)域廣為應(yīng)用。從辦公室復(fù)印機(jī)、高檔服務(wù)器到汽車安全氣囊和娛樂設(shè)施，鐵電存儲(chǔ)器不斷改進(jìn)性能在世界范圍內(nèi)得到廣泛的應(yīng)用。
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