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存儲(chǔ)器類(lèi)型綜述及DDR接口設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)
存儲(chǔ)器類(lèi)型綜述及DDR接口設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)
 更新時(shí)間:2008-8-4 4:59:15  點(diǎn)擊數(shù):5
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存儲(chǔ)器綜述   在過(guò)去的數(shù)年里,電子市場(chǎng),確切地說(shuō)是存儲(chǔ)器市場(chǎng),經(jīng)歷了巨大的變化。在2000年電子工業(yè)低迷時(shí)期之前,電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)師很少考慮他們下一個(gè)設(shè)計(jì)中元器件的成本,而更關(guān)注它們能夠達(dá)到的最高性能。  今天,競(jìng)爭(zhēng)的加劇以及利潤(rùn)率的下降迫使系統(tǒng)設(shè)計(jì)師在降低下一代產(chǎn)品成本的同時(shí),保持、甚至提高系統(tǒng)的性能。作為這種轉(zhuǎn)變的結(jié)果,有一個(gè)工業(yè)部門(mén)經(jīng)歷了實(shí)質(zhì)性的增長(zhǎng),它就是DRAM存儲(chǔ)器,尤其是雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR) SDRAM存儲(chǔ)器。  DDR存儲(chǔ)器最初是一種高性能、低成本的存儲(chǔ)器解決方案,主要用于個(gè)人計(jì)算機(jī)和其它成本敏感的消費(fèi)品市場(chǎng)。近來(lái),由于施加在整個(gè)電子工業(yè)上的經(jīng)濟(jì)壓力,非消費(fèi)產(chǎn)品也開(kāi)始采用DDR存儲(chǔ)器了(圖 1)。

 
圖 1 來(lái)源:IC Insights

  DDR是一種基于SDRAM的革命性的存儲(chǔ)器技術(shù)。DDR SDRAM的存取速度是SDRAM的兩倍,因?yàn)镈DR的數(shù)據(jù)傳送發(fā)生在時(shí)鐘的所有兩個(gè)邊沿。而SDRAM僅在時(shí)鐘的上升沿傳送數(shù)據(jù)。因此,DDR能夠傳送數(shù)據(jù)的速度高達(dá)2133MB/s。與傳統(tǒng)的SDRAM相比,DDR還具有更低的功耗。它的工作電壓是直流2.5V,而SDRAM是直流3.3V! ∈袌(chǎng)分析表明,在當(dāng)今所有的電子系統(tǒng)中,超過(guò)50%采用了DDR存儲(chǔ)器,并且預(yù)計(jì)在接下來(lái)的幾年中將增長(zhǎng)到80%。DDR不是,并且永遠(yuǎn)也不會(huì)是一種針對(duì)所有設(shè)計(jì)的技術(shù)。DDR存儲(chǔ)器非常適用于那些高讀寫(xiě)比率的設(shè)計(jì)。而諸如四倍數(shù)據(jù)速率存儲(chǔ)器,適用于50%讀寫(xiě)比率的應(yīng)用。圖2確定了多種頂尖的存儲(chǔ)器技術(shù)以及它門(mén)各自所屬的讀/寫(xiě)曲線。


圖 2

  不同存儲(chǔ)器類(lèi)型的讀/寫(xiě)率的比較   如上所述,每個(gè)系統(tǒng)有各自獨(dú)特的存儲(chǔ)器要求。在服務(wù)器應(yīng)用的例子中,讀寫(xiě)趨于較高的比率,表示需要DDR。在網(wǎng)絡(luò)處理器與支持大數(shù)據(jù)包的MAC的接口例子中,在處理之前,這些數(shù)據(jù)包需要進(jìn)行緩沖和存儲(chǔ),接近1:1的讀寫(xiě)比率,表明QDR是一個(gè)合適的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。  圖3展示了一個(gè)通用通信線卡印刷電路板的例子;谙到y(tǒng)設(shè)計(jì)者的要求,這張結(jié)構(gòu)圖上指出了在哪里一些通用存儲(chǔ)器類(lèi)型可以被采用。在很多系統(tǒng)中采用了相似的決策過(guò)程,從而選擇合適的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。


圖 3

  下面的目錄指出了針對(duì)不同的系統(tǒng)和功能的合適的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。這些選擇基于系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和各自的性能/成本綜合要求。  ·查找-快速的開(kāi)關(guān)/訪問(wèn)時(shí)間   -臨界延時(shí),以讀取為導(dǎo)向,較小的總線寬度(32/64位)   -存儲(chǔ)器選擇:ZBT (<10Gb/s) -> QDR/DDR (>10Gb/s)   -操作: 地址轉(zhuǎn)換  ·查找-大型、高吞吐量(核心路由器)   -需要奇偶的:寬的I/O(>64)   -帶寬和精度的要求是最重要的  -存儲(chǔ)器選擇:SDR (<10Gb/s) -> DDR/FCRAM (10Gb/s) -> RLDRAM/DDR II (10Gb/s-40Gb/s)   -操作: 地址轉(zhuǎn)換  ·隊(duì)列/包的管理   -延時(shí) #1,隨機(jī)讀和寫(xiě)-無(wú)法預(yù)測(cè)的數(shù)據(jù)模式  -存儲(chǔ)器選擇:ZBT -> QDR   -操作:隊(duì)列管理和流程控制  ·流量整形/管理   -以突發(fā)為導(dǎo)向、窄的 I/O總線 (x18/x36)   -存儲(chǔ)器選擇:ZBT -> QDR   -操作:基于管理的路由表  ·統(tǒng)計(jì)   -隨機(jī)讀/寫(xiě),讀操作占優(yōu)勢(shì)的,窄的 I/O總線 (x18/x36)   -存儲(chǔ)器選擇:ZBT -> QDR   -操作:為信息包跟蹤數(shù)據(jù),流量統(tǒng)計(jì)  ·信息包單元緩沖器   -大的間隔尺度,寬的I/O總線 (>64bit)   -帶寬為首要目標(biāo)  -成本敏感的
-存儲(chǔ)器選擇:SDR -> DDR/FCRAM->RLDRAM/DDR II   -操作:處理不同尺寸的IP包(128B)  DDR接口設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)   至此,我們討論了不同的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)以及它們適用于系統(tǒng)中的哪些部分。由于DDR在增長(zhǎng)著的多種的數(shù)字設(shè)計(jì)中相對(duì)較高的認(rèn)可率,本文剩余的部分將致力于DDR存儲(chǔ)器,以及在FPGA中的DDR接口的實(shí)現(xiàn)! ≡谠S多系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,工程師將選用FPGA作為存儲(chǔ)控制器(圖 4)。選用FPGA的優(yōu)勢(shì)在于它固有的靈活性。不考慮協(xié)議和微處理器,F(xiàn)PGA結(jié)構(gòu)通常能夠提供DDR存儲(chǔ)控制及其所需的電氣接口。采用FPGA作為存儲(chǔ)控制器時(shí),一個(gè)常見(jiàn)的挑戰(zhàn)是高速接口的需求,如同DDR所要求的一樣。由于許多FPGA布線資源的不確定性和有限的I/O速度,因此所要求的I/O速度和相關(guān)的時(shí)鐘經(jīng)常是設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)。當(dāng)DDR速度高于200Mbps時(shí),諸如溫度和電壓等環(huán)境因素也將影響必需的I/O性能。DDR存儲(chǔ)器雙倍于標(biāo)準(zhǔn)SDRAM數(shù)據(jù)率的數(shù)據(jù)傳送能力并不總是福音。DDR I/O的高速度和非常短的DDR數(shù)據(jù)窗口,形成了重要的挑戰(zhàn)。 存儲(chǔ)控制器可靠地工作所需的速度(200MHz通過(guò)FR-4 PCB走線)使得PCB布局成為挑戰(zhàn)。而且,將一個(gè)DDR接口置入一個(gè)靈活的FPGA結(jié)構(gòu),使得設(shè)計(jì)者在一個(gè)固有的不確定的布線結(jié)構(gòu)中滿足極為臨界和緊繃的時(shí)序的工作變得相對(duì)復(fù)雜。當(dāng)試圖在FPGA中實(shí)現(xiàn)一個(gè)高速的DDR接口時(shí),習(xí)慣于FPGA的高速和靈活性的設(shè)計(jì)者經(jīng)常會(huì)驚訝地發(fā)現(xiàn)他們有可能遇到了困難。這些困難不是來(lái)自功能性的問(wèn)題,而是來(lái)自在FR4和FPGA布線中信號(hào)傳播速度的數(shù)量級(jí)下和數(shù)據(jù)窗口打交道的自然結(jié)果。由工藝、溫度和電壓引起的不同邏輯速度使得這些時(shí)序要求更為復(fù)雜。與通用時(shí)鐘信號(hào)相比,需要對(duì)選通信號(hào)進(jìn)行控制和預(yù)處理使得DDR設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步復(fù)雜化。設(shè)計(jì)工程師不能再指望簡(jiǎn)單地將數(shù)據(jù)和地址線連接起來(lái)得到一個(gè)可靠的高速存儲(chǔ)器接口了。

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