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表3：各類模組優(yōu)缺點(diǎn)比較。 |
然而，嵌入式應(yīng)用可能更為經(jīng)常地訪問存儲器，并且同基于x8組件模組相比，基于x16組件的模組的功率減低更為顯著。在信息包傳送應(yīng)用中可能需要使用 DRAM來存儲信息包。如果應(yīng)用中頻繁進(jìn)行包的讀寫操作，則大部分功率處于激活模式。在這種情況下，使用基于x16模組的能耗將明顯低于基于x8模組。同樣，在圖形應(yīng)用中對DRAM幾乎總是進(jìn)行讀操作，采用同樣的方式更新監(jiān)視器是有益的。在某些應(yīng)用為了減低能耗，即使不受空間限制也可能會考慮采用 SoDIMM。利用美光科技公司提供的功率計(jì)算表可以計(jì)算出實(shí)際的能耗，該工作表可在我們的網(wǎng)站http:// www.micron.com / systemcalc上得到。
帶寄存器的DIMM：服務(wù)器對存儲器的容量要求最高。由于需要大量的模組，因此在這種應(yīng)用中要求控制和地址線帶緩沖器(或寄存器)。通過這種方法可緩沖應(yīng)用中的大量內(nèi)存存取負(fù)載。
在這些應(yīng)用中存儲器密度比速度更為重要。 因此，同桌面計(jì)算機(jī)相比，最高容量級的服務(wù)器應(yīng)用中操作會相對較慢。例如，當(dāng)桌面平臺應(yīng)用中需要DDR400時(shí)，高容量服務(wù)器可能僅僅需要使用DDR333或DDR266技術(shù)。由于存儲器密度的重要性，因此一般采用x4組件存儲器。這意味著在激活模式下任何增加能耗的存儲器存取都需要開啟動16個(gè)組件。
為了獲得較高的存儲器密度，有若干種方法可以使用。 一種方法是使用封裝體積較小的組件以增加密度。利用DDR技術(shù)，F(xiàn)BGA封裝能在高密度模組(超過TSOP )上使用。減小封裝體積，模組上就可以安裝更多的存儲器組件。第二種方法是使用堆疊組件，用于基于TSOP和FBGA封裝的模組。
其它模組的優(yōu)點(diǎn) --- SPD：原來所采用的存儲器技術(shù)(EDO或FPM DRAM，或焊接組件)中所存在的一個(gè)問題就是計(jì)算機(jī)無法方便地確定其主板上所用的存儲器容量大小。
為了使設(shè)計(jì)簡單，所有現(xiàn)代DRAM模組都采用串行存在偵測(SPD)或串行EEPROM。因此無需猜測插座中用的哪一個(gè)模組。每一模組現(xiàn)在都將有關(guān)的信息保存在EEPROM中。這些信息包括如下重要內(nèi)容：
- 行地址位及列地址位帶寬
- 模組 (如, 數(shù)據(jù)總線 = 64位)
- 存取時(shí)間
- 電壓
DDR2所采用的新型內(nèi)存模組
在處理DDR2存儲器時(shí)，設(shè)計(jì)人員應(yīng)該知道現(xiàn)在的內(nèi)存模組類型有了一些變化。這些變化包括MiniDIMM、MicroDIMM及FBDIMM技術(shù)的采用。
MicroDIMM： DDR是最先采用MicroDIMM模組尺寸的DRAM技術(shù)。DDR MicroDIMM技術(shù)的優(yōu)勢在于同SODIMM技術(shù)相比所占用的主板面積減少了50%，兩者的關(guān)系為 13.5cm2比25.3cm2。但MicroDIMM的劣勢在于很少有供應(yīng)商提供內(nèi)存插槽支持。因此，極少在設(shè)計(jì)中采用DDR DRAM MicroDIMMs技術(shù)，該技術(shù)產(chǎn)品的生產(chǎn)量也因此受到限制。
DDR2 MicroDIMM模組尺寸不太可能被普遍采用。JEDEC標(biāo)準(zhǔn)化團(tuán)體對此模組規(guī)格仍在討論中；另外，到底有多少內(nèi)存模組插座制造商支持這種技術(shù)也是一個(gè)未知數(shù)。目前，據(jù)預(yù)計(jì)，這種內(nèi)存模組規(guī)格幾乎不受業(yè)內(nèi)支持，美光科技公司對此技術(shù)也不予以支持。因此，在采用DDR2 MicroDIMM技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)之前，美光科技公司建議同我們銷售部門或應(yīng)用工程師取得聯(lián)系，獲取有關(guān)支持此類模組類型方面的最新信息。
MiniDIMM： DDR1模組產(chǎn)品中有一種屬SODIMM類型。這種類型的內(nèi)存模組支持x64和x72配置。特別是在同一塊PCB印刷板上可采用 x64和x72兩種組件配置的SODIMM內(nèi)存。兩者 唯一的區(qū)別是x72型內(nèi)存上帶有一個(gè)DRAM組件，用于奇偶性/ECC校驗(yàn)。
對于DDR2，規(guī)定SODIMM只能采用x64配置。其原因是為了僅針對一種配置優(yōu)化SODIMM信號的完整性，而不是為了在一個(gè)模組上支持兩種配置。帶寄存器的DDR2 MiniDIMM僅支持x72配置。表4中顯示了SODIMM和MiniDIMM內(nèi)存模組在外形尺寸上的差別。作為比較，表中還列出了采用x72組件的規(guī)則 DIMM所占用的主板面積。
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表4：DDR2 SODIMM與MiniDIMM區(qū)別比較。 |
FBDIMM：由于RDIMM在每信道存儲器模組數(shù)量方面存在局限，因此未來的幾年中在服務(wù)器應(yīng)用領(lǐng)域這種存儲器有望被完全緩沖的DIMM或FBDIMM所完全取代。頻率和存取負(fù)載方面所存在的限制，使得一般情況下服務(wù)器上只能配置兩個(gè)（有時(shí)是四個(gè)）RDIMM存儲器插座。由于服務(wù)器要求配置的存儲器在數(shù)量十分多，因此就需要提供一種能夠支持大量存儲器模組（30到40個(gè)）的存儲器解決方案。只有采用FBDIMM技術(shù)才能滿足這種存儲器密度的要求。
這種內(nèi)存技術(shù)的特點(diǎn)包括，可明顯減少每存儲信道的針腳數(shù)量，并在技術(shù)上采用了先進(jìn)的存儲緩沖芯片技術(shù)(AMB)及chipkill內(nèi)存糾錯(cuò)技術(shù)等等。 不久就可在美光科技公司的網(wǎng)站上看到介紹這一新型技術(shù)的技術(shù)札記和技術(shù)介紹。
針對長使用壽命和產(chǎn)品供應(yīng)情況進(jìn)行設(shè)計(jì)
前面提到，許多嵌入式設(shè)計(jì)方案所支持的產(chǎn)品壽命遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過大多數(shù)消費(fèi)類PC機(jī)產(chǎn)品的生命周期。要求長使用壽命的設(shè)計(jì)方案需適合于多種模組類型，以避免今后的重新設(shè)計(jì)。因此，在設(shè)計(jì)中需考慮采用多種DRAM組件密度（如，基于128Mb的模組密度、基于256Mb的模組密度以及基于256Mb的模組密度，等等）。 下面介紹的是一些設(shè)計(jì)中應(yīng)該考慮的問題。
不同的刷新速率(存儲器中僅采用SDR模組)：對于SDR模組，設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)中必須考慮其設(shè)計(jì)方案能夠適應(yīng)組件密度為256Mb或以上的存儲器刷新率變化。表5說明了所存在的差異。如果設(shè)計(jì)中采用了密度為128Mb或 256Mb的存儲器組件，則必須考慮所存在的這種存儲器刷新率方面的差異。
