摘要：閃爍存儲器Am29LV400B的主要特點及編程方法；通過把FLASH的前32K映射到DSP TMS320VC5409的數(shù)據(jù)空間，按照自舉表（Boottable）的格式在FLASH中存儲程序代碼，由DSP引導裝載（Bootloader）程序實現(xiàn)了FLASH的16位并行引導裝載；結合實例介紹了該引導裝載方法的實現(xiàn)過程。
關鍵詞：DSP 閃爍存儲器 引導裝載
TMS320VC5409 是TI公司推出的第一代的高性能、低價位、低功耗數(shù)字信號處理器（DSP）。與現(xiàn)在流行的TMS320C5409相比，性能提高了60%，功耗效率提高了 50%。它的應用對象大多是要求能脫機運行的內(nèi)嵌式系統(tǒng)，如機頂盒（STB）、個人數(shù)字助理（PDA）和數(shù)字無線通信等。閃爍存儲器（FLASH MEMORY）是可以在線電擦寫、掉電后信息不丟失的存儲器。FLASH與EPROM相比，具有更高的性能價格比，而且體積小、功耗低、擦寫速度快、使用比較方便。因此，采用FLASH存儲程序和固定數(shù)據(jù)是一種比較好的選擇。AMD公司的Am29LV400B FLASH可以直接與DSP相接。
1 Am29LV400B的主要特點及編程方法
Am29AL400B是AMD公司新推出的256K×16位產(chǎn)品，具有以下主要特點：
（1）支持單電源操作，可分為滿負荷電壓供電（2.7V～3.6V）和電壓范圍可調(diào)節(jié)（3.0V～3.6V）和電壓范圍可調(diào)節(jié)（3.0V～3.6V）供電兩種方式。滿幅度電壓供電壓供電方式主要用于電池供電的應用中，而電壓范圍可調(diào)節(jié)供電方式直接與3.3V的高性能DSP接口，簡化了系統(tǒng)的電源要求。
（2）最快的存取速度高達55ns，CMOS工藝，具有100000次寫入/擦寫壽命。
（3）低功耗（200nA的自動休眠電流，200nA的待命電流，7mA的讀電流，15mA的編程/擦除電流）。
（4）靈活的塊結構支持整片擦除、塊擦除。整片分為11個塊（1塊8K字、2塊4K字、1塊16K字、7塊32K字）。
（5）塊保護功能，具有防止對任何區(qū)段進行編程或擦除的硬件保護機制。
（6）與JEDEC標準兼容，引腳分布和命令集與單電源FLASH相兼容，具有優(yōu)越的防止意外編程的保護功能。
（7）數(shù)據(jù)查詢位和數(shù)據(jù)切換位，可以通過軟件方法檢測編程/擦除操作的狀態(tài)。
（8）Ready/Busy#管腳，可以通過硬件方法檢測編程/擦除操作的狀態(tài)。
（9）具有擦除暫停/擦除恢復功能。在暫停擦除操作過程中，支持讀寫不處于擦除狀態(tài)的塊。
（10）內(nèi)嵌的擦除/編程算法能自動對整個芯片或某幾個塊進行擦除編程操作。
Am29LV400B編程和擦除算法的命令定義如表1所示。
表1 Am29LV400B命令定義
| 操作命令序列 | 周期 | 總 線 周 期 | |||||||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | ||||||||
| 地址 | 數(shù)據(jù) | 地址 | 數(shù)據(jù) | 地址 | 數(shù)據(jù) | 地址 | 數(shù)據(jù) | 地址 | 數(shù)據(jù) | 地址 | 數(shù)據(jù) | ||
| 讀 復位 片擦除 段擦除 字編程 | 1 1 6 6 4 | RA XXX 555 555 555 | RD F0 AA AA AA | 2AA 2AA 2AA | 55 55 55 | 555 555 555 | 80 80 A0 | 555 555 PA | AA AA PD | 2AA 2AA | 55 55 | 555 SA | 10 30 |
