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DRAM, SRAM, SDRAM的關(guān)系與區(qū)別

DRAM，動態(tài)隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù).而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁模式。

SRAM，靜態(tài)的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據(jù)不會丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。

SDRAM，同步的DRAM，即數(shù)據(jù)的讀寫需要時鐘來同步。 DRAM和SDRAM由于實現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM，但是現(xiàn)在，SDRAM的速度也已經(jīng)很快了，時鐘好像已經(jīng)有 150兆的了。那么就是讀寫周期小于10ns了。

SRAM是靜態(tài)內(nèi)存，SDRAM是同步動態(tài)內(nèi)存
每單位容量的DRAM使用較少的晶體管而且占用面積小，而SRAM則是用較多晶體管占用的面也要相對大不少；DRAM需要不斷刷新來維持所存儲的數(shù)據(jù)，SRAM則不需要；DRAM的存取時鐘間隔長，而SRAM的速度快，時間短；DRAM的耗電低，SRAM耗電大。
目前，相同容量的SRAM價格是SDRAM的8倍左右，面積則將近大4倍，所以SRAM常用于快速存儲的較低容量的RAM需求，比如Cache(緩存），比如CPU內(nèi)部的L1 Cache和主板上的L2 Cache，一般只有幾百K。
布線上可以同樣遵守高速設(shè)計的需要，具體可參考廠家設(shè)計規(guī)范要求。