NIS5112是一款集成自保護(hù)、可復(fù)位的電子保險(xiǎn)絲,采用內(nèi)置電荷泵驅(qū)動高端N-通道FET。為用于12伏(V)系統(tǒng)而設(shè)計(jì),NIS5112為熱插拔應(yīng)用如企業(yè)級硬盤提供一個(gè)高性價(jià)比的侵入電流限制解決方案。
NIS5112可以在12V背板上安全插拔設(shè)備,NIS5112集成SENSEFET高端開關(guān),以價(jià)廉的電阻芯片替代昂貴的低阻抗分流電路進(jìn)行電流檢測。與可調(diào)電壓轉(zhuǎn)換率耦合,NIS5112使設(shè)計(jì)人員可輕易地選擇在多種應(yīng)用中限流輸出電壓的提升速率。NIS5112的輸入電壓范圍為9～18V,且提供過壓保護(hù),能在瞬流中運(yùn)行,保護(hù)負(fù)載。此器件也包含控制導(dǎo)通電壓、輸出電流、裸片溫度、導(dǎo)通di/dt和導(dǎo)通dV/dt,及啟動/定時(shí)器功能的電路。它提供兩種限熱版本的穩(wěn)健熱保護(hù)電路,即自動重試和鎖存關(guān)閉。
NIS5112D1R2G(鎖存)和NIS5112D2R2G(重試)采用無鉛SO-8封裝。
特性
· 集成功率器件
· 熱限制保護(hù)
· 無須外部分流電路
· 內(nèi)置電荷泵
· 9～18V輸入范圍
· 典型值為30mΩ
66821730(技術(shù)支持)
