閃存芯片供應(yīng)商意法半導(dǎo)體近日采用90nm制造工藝的128Mbit NAND閃存NAND128W3A2BN6E。
NAND128W3A2BN6E 是一個(gè)采用TSOP封裝的3V產(chǎn)品,以消費(fèi)電子產(chǎn)品為目標(biāo)應(yīng)用。另兩款產(chǎn)品256Mbit和512Mbit的NAND閃存（均有3V 和1.8V兩個(gè)版本）也將在今后幾個(gè)月內(nèi)過渡到90納米制造工藝。
NAND128具有超高速的數(shù)據(jù)吞吐量和擦寫能力,該系列產(chǎn)品的地址線路和數(shù)據(jù)輸入/輸出信號(hào)都通過一個(gè)8位總線多路傳輸,從而降低了芯片的引腳數(shù)量,并允許使用一個(gè)模塊化的NAND接口,使設(shè)備制造商無需改變芯片占板空間就可制造使用更高（或更低）密度的改進(jìn)系統(tǒng)。
新的閃存芯片由1024個(gè)標(biāo)稱16字節(jié)的區(qū)塊組成,每個(gè)區(qū)塊又分成512字節(jié)的頁面,每頁還有16個(gè)備用字節(jié),同時(shí)每個(gè)頁面均可執(zhí)行讀取與編程操作。備用字節(jié)用于糾錯(cuò)、軟件卷標(biāo)或壞塊識(shí)別。備份編程（Copy Back Program）模式能給儲(chǔ)存在某一個(gè)頁面的數(shù)據(jù)編程,然后將編程數(shù)據(jù)直接轉(zhuǎn)存到另一個(gè)頁面上,而無需額外的緩存。當(dāng)頁面編程操作因一個(gè)損壞區(qū)塊而失敗時(shí),這個(gè)功能特別有用。新器件還提供區(qū)塊擦除指令,擦除一個(gè)區(qū)塊的時(shí)間僅需2ms。每個(gè)區(qū)塊的耐擦寫能力為100000次,數(shù)據(jù)保存期限為10年。
新器件還包含“無需介意芯片激活”功能,可簡化微控制器的接口設(shè)計(jì),同時(shí)能簡化NAND閃存與NOR閃存、SRAM等內(nèi)存的整合過程。另外,制造商在器件出廠前可以設(shè)定一個(gè)唯一的器件ID序列號(hào),用戶利用一個(gè)用戶可編程序列號(hào)可以提高目標(biāo)應(yīng)用的安全功能。
NAND128W3A2BN6E 已開始量產(chǎn),價(jià)格區(qū)間在4美元到4.5美元之間,封裝為TSOP48無鉛封裝,工作溫度范圍-40～+85℃。
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