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1 、IC的電源處理
1.1)保證每個(gè)IC的電源PIN都有一個(gè)0.1UF的去耦電容，對(duì)于BGA CHIP，要求在BGA的四角分別有0.1UF、0.01UF的電容共8個(gè)。對(duì)走線(xiàn)的電源尤其要注意加濾波電容，如VTT等。這不僅對(duì)穩(wěn)定性有影響，對(duì)EMI也有很大的影響。 2 時(shí)鐘線(xiàn)的處理
2.1)建議先走時(shí)鐘線(xiàn)。
2.2)頻率大于等于66M的時(shí)鐘線(xiàn)，每條過(guò)孔數(shù)不要超過(guò)2個(gè)，平均不得超過(guò)1.5個(gè)。
2.3)頻率小于66M的時(shí)鐘線(xiàn)，每條過(guò)孔數(shù)不要超過(guò)3個(gè)，平均不得超過(guò)2.5個(gè)
2.4)長(zhǎng)度超過(guò)12inch的時(shí)鐘線(xiàn)，如果頻率大于20M，過(guò)孔數(shù)不得超過(guò)2個(gè)。
2.5)如果時(shí)鐘線(xiàn)有過(guò)孔，在過(guò)孔的相鄰位置，在第二層（地層）和第三層（電源層）之間加一個(gè)旁路電容、如圖2.5-1所示，以確保時(shí)鐘線(xiàn)換層后，參考層（相鄰層）的高頻電流的回路連續(xù)。旁路電容所在的電源層必須是過(guò)孔穿過(guò)的電源層，并盡可能地靠近過(guò)孔，旁路電容與過(guò)孔的間距最大不超過(guò)300MIL。圖 2.5-1過(guò)孔處的旁路電容
2.6)所有時(shí)鐘線(xiàn)原則上不可以穿島。下面列舉了穿島的四種情形。
2.6.1) 跨島出現(xiàn)在電源島與電源島之間。此時(shí)時(shí)鐘線(xiàn)在第四層的背面走線(xiàn)，第三層(電源層)有兩個(gè)電源島，且第四層的走線(xiàn)必須跨過(guò)這兩個(gè)島，如圖2.6-1所示。
2.6.2) 跨島出現(xiàn)在電源島與地島之間。此時(shí)時(shí)鐘線(xiàn)在第四層的背面走線(xiàn)，第三層(電源層)的一個(gè)電源島中間有一塊地島，且第四層的走線(xiàn)必須跨過(guò)這兩個(gè)島。如圖2.6-2所示。
2.6.3) 跨島出現(xiàn)在地島與地層之間。此時(shí)時(shí)鐘線(xiàn)在第一層走線(xiàn)，第二層(地層)的中間有一塊地島，且第一層的走線(xiàn)必須跨過(guò)地島，相當(dāng)于地線(xiàn)被中斷。如圖2.6-3所示。
2.6.4) 時(shí)鐘線(xiàn)下面沒(méi)有鋪銅。若條件限制實(shí)在做不到不穿島，保證頻率大于等于66M的時(shí)鐘線(xiàn)不穿島，頻率小于66M的時(shí)鐘線(xiàn)若穿島，必須加一個(gè)去耦電容形成鏡像通路。以圖6.1為例，在兩個(gè)電源島之間并靠近跨島的時(shí)鐘線(xiàn)，放置一個(gè)0.1UF的電容。
2.7)當(dāng)面臨兩個(gè)過(guò)孔和一次穿島的取舍時(shí)，選一次穿島。
2.8)時(shí)鐘線(xiàn)要遠(yuǎn)離I/O一側(cè)板邊500MIL以上，并且不要和I/O線(xiàn)并行走，若實(shí)在做不到，時(shí)鐘線(xiàn)與I/O口線(xiàn)間距要大于50MIL。
2.9)時(shí)鐘線(xiàn)走在第四層時(shí)，時(shí)鐘線(xiàn)的參考層（電源平面）應(yīng)盡量為時(shí)鐘供電的那個(gè)電源面上，以其他電源面為參考的時(shí)鐘越少越好，另外，頻率大于等于66M的時(shí)鐘線(xiàn)參考電源面必須為 3.3V電源平面。
2.10)時(shí)鐘線(xiàn)打線(xiàn)時(shí)線(xiàn)間距要大于25MIL。
2.11)時(shí)鐘線(xiàn)打線(xiàn)時(shí)進(jìn)去的線(xiàn)和出去的線(xiàn)應(yīng)該盡量遠(yuǎn)。盡量避免類(lèi)似圖A和圖C所示的打線(xiàn)方式，采用類(lèi)似圖B和圖D的打線(xiàn)方式，若時(shí)鐘線(xiàn)需換層，避免采用圖E的打線(xiàn)方式，采用圖F的打線(xiàn)方式。
2.12) 時(shí)鐘線(xiàn)連接BGA等器件時(shí)，若時(shí)鐘線(xiàn)換層，盡量避免采用圖G的走線(xiàn)形式,過(guò)孔不要在BGA下面走,最好采用圖H的走線(xiàn)形式。
2.13) 注意各個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，不要忽略任何一個(gè)時(shí)鐘，包括AUDIO CODEC的AC_BITCLK，尤其注意的是FS3-FS0,雖然說(shuō)從名稱(chēng)上看不是時(shí)鐘，但實(shí)際上跑的是時(shí)鐘，要加以注意。
2.14) Clock Chip上拉下拉電阻盡量靠近Clock Chip。 3. I/O口的處理
3.1) 各I/O口包括PS/2、USB、LPT、COM、SPEAK OUT、 GAME分成一塊地，最左與最右與數(shù)字地相連，寬度不小于200MIL或三個(gè)過(guò)孔，其他地方不要與數(shù)字地相連。
3．2）若COM2口是插針式的，盡可能靠近I/O地。
3．3）I/O電路EMI器件盡量靠近I/O SHIELD。
3．4） I/O口處電源層與地層單獨(dú)劃島，且Bottom和TOP層都要鋪地，不許信號(hào)穿島（信號(hào)線(xiàn)直接拉出PORT，不在I/O PORT中長(zhǎng)距離走線(xiàn)）。圖3.1給出了I/O口處理的參考示意圖。 4. 幾點(diǎn)說(shuō)明
Ａ．對(duì)EMI設(shè)計(jì)規(guī)范，設(shè)計(jì)工程師要嚴(yán)格遵守，EMI工程師有檢查的權(quán)力，違背EMI設(shè)計(jì)規(guī)范而導(dǎo)至EMI測(cè)試FAIL，責(zé)任由設(shè)計(jì)工程師承擔(dān)。
Ｂ．EMI工程師對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)范負(fù)責(zé)，對(duì)嚴(yán)格遵守EMI設(shè)計(jì)規(guī)范，但仍然EMI測(cè)試FAIL，EMI工程師有責(zé)任給出解決方案，并總結(jié)到EMI設(shè)計(jì)規(guī)范中來(lái)。
Ｃ．EMI工程師對(duì)每一個(gè)外設(shè)口的EMI測(cè)試負(fù)有責(zé)任，不可漏測(cè)。
Ｄ．每個(gè)設(shè)計(jì)工程師有對(duì)該設(shè)計(jì)規(guī)范作修改的建議權(quán)和質(zhì)疑的權(quán)力。EMI工程師有責(zé)任回答質(zhì)疑，對(duì)工程師的建議通過(guò)實(shí)驗(yàn)后證實(shí)后加入設(shè)計(jì)規(guī)范。
Ｅ．EMI工程師有責(zé)任降低EMI設(shè)計(jì)的成本，減少磁珠的使用個(gè)數(shù)。 |
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