產(chǎn)品詳情
ASML P/N:6107-0900-3702
ASML P/N:6107-0900-3702參數(shù)詳解：半導(dǎo)體光刻機(jī)的核心組件解析
1. 產(chǎn)品概述
ASML P/N 6107-0900-3702 是荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商 ASML（Advanced Semiconductor Material Lithography）旗下的一款關(guān)鍵組件，主要用于其極紫外（EUV）光刻機(jī)系統(tǒng)。該部件屬于精密光學(xué)模塊系列，負(fù)責(zé)光刻過(guò)程中的光束調(diào)控與校準(zhǔn)，是確保芯片制造精度（如 7nm、5nm 及以下工藝節(jié)點(diǎn)）的核心組件之一。
2. 技術(shù)參數(shù)（參考值）
● 光學(xué)性能
○ 波長(zhǎng)范圍：13.5 nm（EUV 光源）
○ 反射率：≥99.9%（特定涂層工藝）
○ 表面平整度：≤0.1 nm（Ra值）
● 機(jī)械特性
○ 尺寸：約 320mm × 260mm × 150mm（實(shí)際尺寸依版本而異）
○ 重量：約 25 kg（含冷卻系統(tǒng)模塊）
○ 工作溫度：-20°C 至 +50°C（極端環(huán)境需定制冷卻方案）
● 電氣接口
○ 通信協(xié)議：ASML專有高速光纖接口（兼容最新 TWINSCAN 系統(tǒng)）
○ 功耗：峰值功率 ≤ 150 W（待機(jī)模式 ≤ 5 W）
3. 應(yīng)用領(lǐng)域與優(yōu)勢(shì)
● 芯片制造：用于先進(jìn)邏輯芯片（如CPU、GPU）及存儲(chǔ)器（DRAM、3D NAND）的光刻工藝，支持高分辨率圖案轉(zhuǎn)移。
● 高精度校準(zhǔn)：通過(guò)其亞納米級(jí)光學(xué)調(diào)控能力，降低芯片制造過(guò)程中的線寬誤差（CDU ≤ 1.5 nm）。
● 穩(wěn)定性：采用抗熱膨脹材料與閉環(huán)溫控設(shè)計(jì)，適應(yīng)24/7連續(xù)生產(chǎn)環(huán)境。
4. 使用注意事項(xiàng)
● 維護(hù)要求：需定期校準(zhǔn)（建議每6個(gè)月進(jìn)行一次），使用ASML認(rèn)證維護(hù)工具。
● 環(huán)境限制：避免強(qiáng)磁場(chǎng)干擾（距離≥5米），濕度控制在 20%-40% RH。
● 兼容性：僅適配ASML最新一代EUV系統(tǒng)（如TWINSCAN NXE:3800E及以上型號(hào)）。
5. 市場(chǎng)價(jià)值與供應(yīng)鏈
作為ASML EUV設(shè)備的關(guān)鍵組件，6107-0900-3702 直接影響芯片廠的產(chǎn)能與良率。目前該部件僅通過(guò)ASML官方渠道供應(yīng)，常需提前12-18個(gè)月排期，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的核心技術(shù)壁壘之一。
結(jié)語(yǔ)
ASML P/N 6107-0900-3702 參數(shù)體現(xiàn)了極紫外光刻技術(shù)的精密工程極限，其光學(xué)與機(jī)械性能是推動(dòng)摩爾定律延續(xù)的關(guān)鍵要素。如需準(zhǔn)確參數(shù)或采購(gòu)支持，建議聯(lián)系A(chǔ)SML官方渠道獲取最新文檔。
ASML P/N:6107-0900-3702
