產(chǎn)品詳情
ASML 4022.472.27805
ASML 4022.472.27805
：核心技術(shù)參數(shù)全覽
在現(xiàn)代半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，ASML作為光刻技術(shù)的領(lǐng)先者，其設(shè)備一直備受關(guān)注。ASML 4022.472.27805作為其產(chǎn)品線中的一款重要設(shè)備，廣泛應(yīng)用于芯片制造過程中。本文將詳細(xì)解析ASML 4022.472.27805的核心技術(shù)參數(shù)，幫助讀者全面了解其性能與特點(diǎn)。
基本信息
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型號：ASML 4022.472.27805
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類型：浸沒式光刻機(jī)
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用途：主要用于集成電路制造過程中的光刻工藝，能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的圖案轉(zhuǎn)移。
光源系統(tǒng)
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光源類型：ArF（氟化氬）準(zhǔn)分子激光
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波長：193nm
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光源功率：可調(diào)，可達(dá)120W
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激光穩(wěn)定性：優(yōu)于0.5%
ASML 4022.472.27805采用ArF準(zhǔn)分子激光作為光源，其193nm的波長使得設(shè)備能夠在更小的工藝節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)高分辨率的圖案轉(zhuǎn)移，滿足先進(jìn)制程的需求。
光學(xué)系統(tǒng)
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光學(xué)分辨率：小于38nm
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數(shù)值孔徑（NA）：1.35
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投影透鏡：采用高精度、多層鍍膜技術(shù)，確保光學(xué)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和成像質(zhì)量
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曝光方式：步進(jìn)掃描曝光
設(shè)備的高數(shù)值孔徑和先進(jìn)的光學(xué)系統(tǒng)，使其能夠在極小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高精度的圖案曝光，滿足當(dāng)前主流芯片制造的要求。
工作臺系統(tǒng)
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工作臺類型：雙工作臺系統(tǒng)
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工作臺精度：亞納米級
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同步精度：優(yōu)于1nm
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運(yùn)動速度：可達(dá)500mm/s
雙工作臺系統(tǒng)不僅提高了生產(chǎn)效率，還保證了在高精度曝光過程中的穩(wěn)定性。亞納米級的精度和高速運(yùn)動能力，使得設(shè)備能夠在短時(shí)間內(nèi)完成大量芯片的制造任務(wù)。
浸沒系統(tǒng)
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浸沒液體：去離子水
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浸沒液溫度控制：±0.001℃
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浸沒液厚度控制：±1nm
通過使用去離子水作為浸沒液體，設(shè)備能夠進(jìn)一步提高光學(xué)系統(tǒng)的分辨率。嚴(yán)格的溫度和厚度控制，確保了浸沒系統(tǒng)的穩(wěn)定性，從而提升曝光質(zhì)量。
控制系統(tǒng)
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控制方式：全自動化控制
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軟件系統(tǒng)：ASML專有光刻控制軟件
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數(shù)據(jù)處理能力：高速數(shù)據(jù)處理，確保實(shí)時(shí)監(jiān)控和調(diào)整
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接口：支持多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口，便于與其他設(shè)備集成
全自動化控制和高速數(shù)據(jù)處理能力，使得設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)高效、精準(zhǔn)的光刻操作。專有軟件系統(tǒng)和豐富的接口，提高了設(shè)備的兼容性和可擴(kuò)展性。
環(huán)境要求
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溫度：20±0.1℃
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濕度：40±5%RH
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潔凈度：ISO 14644-1 Class 1
嚴(yán)格的環(huán)境要求，確保了設(shè)備在狀態(tài)下運(yùn)行，從而延長設(shè)備的使用壽命并保證光刻質(zhì)量。
其他參數(shù)
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設(shè)備尺寸：約8m x 4m x 3m（L x W x H）
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設(shè)備重量：約50噸
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功耗：約200kW
ASML 4022.472.27805雖然體積龐大、重量較重，但其高效的功耗控制，使其在滿足高性能的同時(shí)，也具備良好的能效表現(xiàn)。
綜上所述，ASML 4022.472.27805以其先進(jìn)的光源系統(tǒng)、高精度的光學(xué)與工作臺系統(tǒng)、穩(wěn)定的浸沒系統(tǒng)和全自動化控制系統(tǒng)，成為現(xiàn)代芯片制造不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備。其卓越的性能和可靠性，使其在全球半導(dǎo)體制造領(lǐng)域占據(jù)重要地位。
ASML 4022.472.27805
