產(chǎn)品詳情
用作高純分析試劑、用于電子工業(yè)半導體材料制備。
用作高純分析試劑、半導體材料。
氧化鎵，別名三氧化二鎵，氧化鎵(Ga2O3)是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發(fā)光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。
分子式：Ga2O3
分子量：187.44
CAS NO. :12024-21-4
外觀性狀：白色三角形的結(jié)晶顆粒。不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。熔點1900℃(在600℃時轉(zhuǎn)化為β型)。易溶于堿金屬氫氧化物和稀無機酸。有α，β兩種變體。α型為白色菱形六面體。
用途：用作高純分析試劑、用于電子工業(yè)半導體材料制備。
包裝：編織袋包裝25、50/公斤、1000公斤/噸包，紙板桶包裝25、50公斤/桶。
理化指標(%)：
分 析 結(jié) 果 Testing result (%)
純度 99.995
Ga2O3 含量 99.00
鐵 Fe2O3 0.0007
硅 SiO2 0.0002
鈦 TiO2 0.0005
鈣 CaO 0.0004
鋅 Zn 0.0002
鉛 Pb 0.0002
注：可根據(jù)用戶規(guī)格要求進行產(chǎn)品生產(chǎn)和包裝。
