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首頁(yè) >產(chǎn)品 >數(shù)碼電腦 > 筆記本電腦及配件> 筆記本內(nèi)存>innodisk內(nèi)存條 DDR3 4G M3S0-4GSJDLPC 宜鼎內(nèi)存

innodisk內(nèi)存條 DDR3 4G M3S0-4GSJDLPC 宜鼎內(nèi)存

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  • 發(fā)布日期:2021-10-22
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詳細(xì)參數(shù)
品牌innodisk型號(hào)M3S0-4GSJDLPC
內(nèi)存容量4G內(nèi)存類型DDRIII
顆粒封裝FBGA質(zhì)保其他

產(chǎn)品詳情

嵌入式系統(tǒng)系列

我們的嵌入式系統(tǒng)符合JEDEC內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),并提供各種不同外觀尺寸、容量、速度,以優(yōu)化嵌入式系統(tǒng)的表現(xiàn)。

4GB

1866MT/s

256Mx16

Samsung

2

2

M3S0-4GSV0CQE

4GB

1600MT/s

256Mx16

Samsung

2

2

M3S0-4GSV0CPC

4GB

1333MT/s

256Mx16

Samsung

2

2

M3S0-4GSV0CN9

4GB

1866MT/s

256Mx16

Micron

2

2

M3S0-4GMV0CQE

4GB

1600MT/s

256Mx16

Micron

2

2

M3S0-4GMV0CPC

4GB

1333MT/s

256Mx16

Micron

2

2

M3S0-4GMV0CN9

4GB

1866MT/s

256Mx8

Samsung

2

2

M3S0-4GSJDCQE

4GB

1600MT/s

256Mx8

Samsung

2

2

M3S0-4GSJDCPC

4GB

1333MT/s

256Mx8

Samsung

2

2

M3S0-4GSJDCN9

4GB

1066MT/s

256Mx8

Samsung

2

2

M3S0-4GSJDCM7

4GB

800MT/s

256Mx8

Samsung

2

2

M3S0-4GSJDCL6

4GB

1866MT/s

256Mx8

Micron

2

2

M3S0-4GMJDCQE

4GB

1600MT/s

256Mx8

Micron

2

2

M3S0-4GMJDCPC

4GB

1333MT/s

256Mx8

Micron

2

2

M3S0-4GMJDCN9

4GB

1866MT/s

512Mx8

Samsung

1

2

M3S0-4GSSCCQE

4GB

1600MT/s

512Mx8

Samsung

1

2

M3S0-4GSSCCPC

4GB

1333MT/s

512Mx8

Samsung

1

2

M3S0-4GSSCCN9

4GB

1866MT/s

512Mx8

Micron

1

2

M3S0-4GMSCCQE

4GB

1600MT/s

512Mx8

Micron

1

2

M3S0-4GMSCCPC

4GB

1333MT/s

512Mx8

Micron

1

2

M3S0-4GMSCCN9



Overview:


? ? ? ?DDR3 SODIMM memory (small outline) is a compact industrial standards memory module that fits neatly into any bded, surveillance and automation setup. DDR3 SODIMM memory comply with all relevant JEDEC standards and are available in 1GB, 2GB, 4GB, and 8GB capacities and with data transfer rates of 1066MT/s, 1333MT/s, 1600MT/s, and 1866MT/s.

? ? ? ?DDR3 SODIMM內(nèi)存(小外框)是一種緊湊的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存模塊,可巧妙地安裝在任何嵌入式、監(jiān)控和自動(dòng)化設(shè)置中。DDR3 SODIMM內(nèi)存符合所有相關(guān)JEDEC標(biāo)準(zhǔn),具有1GB、2GB、4GB和8GB容量,數(shù)據(jù)傳輸速率分別為1066MT/s、1333MT/s、1600MT/s和1866MT/s。
規(guī)格:

Interface

DDR3

Form Factor

SODIMM

Data Rate

1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s

Capacity

1GB, 2GB, 4GB, 8GB

Function

Non-ECC Unbuffered Memory

Pin Number

204pin

Width

64Bits

Voltage

1.5V, 1.35V

PCB Height

1.18 Inches

Operating Temperature

0°C to 85°C




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