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烏魯木齊駐極熔噴布纖維檢測(cè)設(shè)備

再簡(jiǎn)單一點(diǎn),就是考慮更好的散熱吧。功率管發(fā)熱功率管的功耗分成兩部分,開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。要注意,大多數(shù)場(chǎng)合特別是LED市電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,開(kāi)關(guān)損害要遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。開(kāi)關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān),所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個(gè)方面解決:不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來(lái)選擇MOS功率管,因?yàn)閮?nèi)阻越小,cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右,2N60的cgs為350pF左右,5N60的cgs為1200pF左右,差別太大了,選擇功率管時(shí),夠用就可以了。
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